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다층구조의고분자기질로된방출조절형경피흡수제형

  • 기술번호 : KST2015119580
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL A61K 9/70 (2006.01) A61M 35/00 (2006.01)
CPC A61K 9/7092(2013.01) A61K 9/7092(2013.01) A61K 9/7092(2013.01) A61K 9/7092(2013.01)
출원번호/일자 1019870014653 (1987.12.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0035956-0000 (1990.09.12)
공개번호/일자 10-1989-0009422 (1989.08.02) 문서열기
공고번호/일자 1019900004093 (19900615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1987.12.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영하 대한민국 서울시강남구
2 정서영 대한민국 서울시성동구
3 변영로 대한민국 서울시종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이세진 대한민국 서울특별시 서초구 방배천로**길 *, *층 대양국제특허법률사무소 (방배동, 인성빌딩)
2 김성택 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1987.00.00 수리 (Accepted) 1-1-1987-0086062-43
2 특허출원서
Patent Application
1987.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1987-0086061-08
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1987.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1987-0086064-34
4 출원심사청구서
Request for Examination
1987.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1987-0086065-80
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1987.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1987-0086063-99
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1988.01.12 수리 (Accepted) 1-1-1987-0086066-25
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1990.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0050847-83
8 등록사정서
Decision to grant
1990.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0050849-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

소정 농도의 약효 성분으로 포화시킨 실리콘 수지층을 소정 농도의 가교제로 가교시킨 각각 별도의 계산된 가교밀도와 확산 계수를 갖는 상면층, 중간층 및 저면층의 실리콘층으로 성형하여 일체 구조로 구성한 것이 특징인 경피 흡수제형

2 2

제 1 항에 있어서, 약효 성분의 포화 농도가 실리콘 수지에 대한 포화 농도에 대하여 0

3 3

제 1 항에 있어서, 실리콘 수지층의 기교밀도가 상면층에서 저면층으로 갈수록 증가되고, 확산 계수는 상면층에서 저면층으로 갈수륵 감소하는 것이 특징인 경피용 흡수제형

4 4

제 1 항에 있어서, 실리콘 수지층들이 주형법으로 성형되는 것이 특징인 경피용 흡수제형

5 5

제 1 항에 있어서, 하면층 저면에는 통상의 접착제층이 마련되고, 전체 상면과 측면 주위에는 보호막이 형성되는 것이 특징인 경피용 흡수제형

6 6

제 1 항에 있어서, 가교제를 상면층 실리콘 수지에 2-5중량%, 중간층 실리콘 수지에 7-15중량% 및 저면층 실리콘 수지에 17-20중량%의 농도로 되게 혼합시키는 것이 특징인 경피용 흡수제형

7 7

제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 각 실리콘 수지층이나 접착층에 가속제(예, 요소)가 더 첨가되는 것이 특징인 경피용 흡수제형

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.