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비스실록산유도체및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015119595
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL C07F 7/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019870010694 (1987.09.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0031147-0000 (1990.01.12)
공개번호/일자 10-1989-0005130 (1989.05.11) 문서열기
공고번호/일자 1019890004133 (19891021) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1019880004280;
심사청구여부/일자 Y (1987.09.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최삼권 대한민국 서울시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1987.09.26 수리 (Accepted) 1-1-1987-0063449-25
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1987.09.26 수리 (Accepted) 1-1-1987-0063450-72
3 출원심사청구서
Request for Examination
1987.09.26 수리 (Accepted) 1-1-1987-0063451-17
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1987.10.21 수리 (Accepted) 1-1-1987-0063452-63
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1988.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1987-0063453-19
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1989.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0037384-95
7 등록사정서
Decision to grant
1989.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0037387-21
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

일반식(Ⅰ)로 표시되는 신규한 비스실록산 유도체

2 2

일반식(Ⅲ)의 리튬디이소알킬아미드와 일반식(Ⅳ)의 디에스테르 및일반식(Ⅴ)의 트리알킬클로로실리콘을 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 비스실록산 유도체의 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 반응온도를 -90℃ 내지 40℃에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 일반식(Ⅰ)의 비스실록산 유도체의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP01106891 JP 일본 FAMILY
2 JP01108201 JP 일본 FAMILY
3 JP02705951 JP 일본 FAMILY
4 KR1019900003910 KR 대한민국 FAMILY
5 US04827007 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP1106891 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP1108201 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2705951 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH01106891 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JPH01108201 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US4827007 US 미국 DOCDBFAMILY
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