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이온빔을이용하여표면개질된고분자콘택트렌즈및그표면개질방법

  • 기술번호 : KST2015119775
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온빔을 이용하여 친수성으로 표면개질된 고분자 콘택트렌즈 및 그 표면개질방법에 관한 것으로, 고분자 콘택트렌즈 표면으로, 반응성 기체를 유입시키면서 2000 eV 이하의 에너지를 가진 이온빔을 조사시킴으로써 상기 이온빔으로 고분자 콘택트렌즈의 표면을 활성화시키면서 활성화된 고분자 콘택트렌즈의 표면과 상기 반응성 기체를 반응시켜 그 표면에 친수성기를 형성시키는 고분자 콘택트렌즈의 표면개질방법과 그에 의해 표면개질된 고분자 콘택트렌즈를 제공한다.
Int. CL C08J 7/00 (2006.01)
CPC C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01)
출원번호/일자 1019980054848 (1998.12.14)
출원인 주식회사 삼양홀딩스, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0305906-0000 (2001.08.02)
공개번호/일자 10-2000-0039497 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20011130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 삼양홀딩스 대한민국 서울특별시 종로구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고석근 대한민국 서울특별시 성북구
2 정형진 대한민국 서울특별시 광진구
3 최원국 대한민국 서울특별시 양천구
4 최성창 대한민국 서울특별시 성북구
5 김기환 대한민국 서울특별시 노원구
6 한성 대한민국 서울특별시 성동구
7 석진우 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 삼양사 서울특별시 종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1998-0427997-41
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1998-0427998-97
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1998-0427999-32
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1999.11.24 수리 (Accepted) 1-1-1999-5399002-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0246995-23
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5370745-49
13 의견서
Written Opinion		 2000.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5370730-65
14 등록사정서
Decision to grant		 2001.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0155632-09
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.09.04 수리 (Accepted) 4-1-2002-5023400-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2004-5093562-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2010-5083089-34
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5221610-62
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

고분자 콘택트렌즈 표면으로, 반응성 기체를 유입시키면서 2000 eV 이하의 에너지를 가진 이온빔을 조사시킴으로써 상기 이온빔으로 고분자 콘택트렌즈의 표면을 활성화시키면서 활성화된 고분자 콘택트렌즈의 표면과 상기 반응성 기체를 반응시켜 그 표면에 친수성을 형성시키는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 콘택트렌즈의 표면개질 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 반응성 기체는 산소, 질소, 이산화탄소, 일산화탄소, 오존 및 그들의 혼합기체 중에서 하나인 것을 특징으로 하는 고분자 콘택트렌즈의 표면 개질 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 이온원은 콜드 할로우 캐쏘드 (cold hallow cathode) 이온원과 카프만 식(Kaufman type) 이온원, 라디오주파수(RF) 이온원, 그리고 고주파수(HF) 이온원 중의 하나로서, 저에너지 영역에서 높은 이온빔 밀도를 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 고분자 콘택트렌즈의 표면개질 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 고분자 콘택트렌즈에 조사하는 이온의 개수는 1cm2의 면적당 1x1014~1x1017 개인 것을 특징으로 하는 고분자 콘택트렌즈의 표면개질 방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 친수성기는 C-0 결합, C=0 결합, (C=0)-0 결합, C-N 결합, C=N 결합 중의 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 콘택트렌즈의 표면개질 방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 고분자 콘택트렌즈는 CHO계 고분자화합물과 실리콘계 고분자화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 콘택트렌즈의 표면개질 방법

7 7

CHO계 고분자화합물과 실리콘계 고분자화합물 중의 하나로 이루어지는 고분자 콘택트렌즈로서, 2000 eV 이하의 에너지를 가지는 이온빔을 조사시켜 고분자 콘택트렌즈의 표면을 활성화시키면서 활성화된 고분자 콘택트렌즈 표면과 반응성 기체를 반응시킴으로써 그 표면에 물에 씻겨나가지 않는 친수성기가 형성된 것을 특징으로 하는 고분자 콘택트렌즈

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.