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고분자습도센서및전기화학적방법에의한고분자습도센서의제조방법

  • 기술번호 : KST2015119800
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL G01N 27/00 (2006.01)
CPC G01N 27/128(2013.01) G01N 27/128(2013.01)
출원번호/일자 1019900011492 (1990.07.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0076618-0000 (1994.08.23)
공개번호/일자 10-1992-0003052 (1992.02.29) 문서열기
공고번호/일자 1019940004667 (19940527) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.07.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정여 대한민국 서울특별시강남구
2 이희우 대한민국 서울특별시성북구
3 황인석 대한민국 서울특별시양천구
4 김재경 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1990.07.27 수리 (Accepted) 1-1-1990-0068089-46
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1990.07.27 수리 (Accepted) 1-1-1990-0068090-93
3 출원심사청구서
Request for Examination
1990.07.27 수리 (Accepted) 1-1-1990-0068091-38
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1994.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0035168-86
5 등록사정서
Decision to grant
1994.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0035169-21
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

미세전극면에 도데실 설페이트 음이온(DS-)이 도핑된 폴리피롤을 피착하고 그 폴리피롤에 양이온(Na+,K+)을 침투시켜 염을 형성한 구성이며, 습도감응성이 104~106Ω의 영역에서 나타나고 감습속도가 수십초 내지 수분이내가 되는 것임을 특징으로 하는 고분자 습도센서

2 2

분자량이 큰 도데실 설페이트 음이온(DS-)이 함유된 용액에 단량체 피롤을 혼합한 전해용액을 이용하고, 센서구조를 갖는 미세전극을 양극에, 백금판을 음극에 두고 직류전원을 인가하면서, 중합을 행하여 상기 양극에 상기 음이온(DS-)이 도핑된 폴리피롤을 필름상으로 형성하고, 이어서 크기가 작은 양이온(Na+, K+)이 함유된 전해수용액을 이용하고 상기 양극과 음극에 반대극성의 직류전원을 인가하면서 환원을 행하여 상기 폴리피롤에 상기 음이온(DS-)을 억류시킴과 아울러 상기 양이온(Na+,K+)을 침투시켜 염을 형성함에 의하여 이온전도성을 부여함을 특징으로 하는 고분자 습도센서 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 중합용 전해용액은 비양자성 용매인 아세토니트릴(ACN)에 테트라부틸암모니움 도데실 설페이트(TBADS)를 전해질로 혼합한 것임을 특징으로 하는 고분자 습도센서 제조방법

4 4

제2항에 있어서, 상기 중합용 전해용액은 소디움 도데실 설페이트(NaDS) 수용액인 것을 특징으로 하는 고분자 습도센서 제조방법

5 5

제2항에 있어서, 상기 중합시 양극이 인가되는 전극은 유리 또는 알루미나 기판위에 텅스텐, 니켈을 차례로 피착하고 감광성 고분자를 코팅한후 식판인쇄법에 의하여 설계된 구조로 상을 형성시키고, 식각된 부분에 금도금을 한후 감광성 고분자, 니켈, 텅스텐을 차례로 식각하여 장폭부와 단폭부 부분전극이 교대로 배열된 빗살모양으로 형성된 미세전극임을 특징으로 하는 고분자 습도센서 제조방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 미세전극의 각 부분전극의 간격은 7

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04232846 JP 일본 FAMILY
2 JP06079001 JP 일본 FAMILY
3 US05122237 US 미국 FAMILY
4 US05304295 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP1947711 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4232846 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6079001 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JPH04232846 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JPH0679001 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 US5122237 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US5304295 US 미국 DOCDBFAMILY
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