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고유전체커패시터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015119884
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 반도체 기억소자 및 갈륨비소화합물 반도체 소자의 고유전체 커패시터 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 사용하거나 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 사용하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 600~700℃에서 1~2시간 동안 BaTiO3, PbTiO3 및 Zr, Ln, Mg, Nb 등이 첨가된 BaTiO3, PbTiO3을 증착하여 고유전체박막을 형성하는 과정으로 이루어진다.본 발명은 종래의 고유전체 캐피시터의 구조에서 기판전극의 재료와 구성을 변화시킴으로서 고유전체 커패시터 물리·전기적 특성을 향상시킨 효과가 있다.
Int. CL H01L 27/02 (2006.01)
CPC H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01) H01L 28/55(2013.01)
출원번호/일자 1019930027657 (1993.12.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0130631-0000 (1997.11.20)
공개번호/일자 10-1995-0021468 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (19980406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.14)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용태 대한민국 서울특별시송파구
2 이창우 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139421-60
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139422-16
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139423-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0065288-18
5 의견서
Written Opinion		 1997.07.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0139424-07
6 등록사정서
Decision to grant		 1997.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0065289-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 반도체 기억소자의 스토리지 커패시터의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판위에 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 형성하거나, 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 형성하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 BaTiO3, PbTiO3 및 Zr, Ln, Mg, Nb 등이 첨가된 BaTiO3, PbTiO3 박막을 증착하여 고유전체막을 형성함을 특징으로 하는 고유전체 커패시터의 제조방법

2 2

갈륨비소화합물 반도체 소자의 커패시터의 제조방법에 있어서, 갈륨비소기판 위에 기판전극으로 텅스텐질화막/텅스텐막을 형성하거나, 텅스텐막/백금, 텅스텐질화막/백금, 텅스텐질화막/텅스텐막/백금을 형성하고 그 위에 스퍼터링 또는 화학증착법으로 BaTiO3, PbTiO3 및 Zr, Ln, Mg, Nb 등이 첨가된 BaTiO3, PbTiO3 을 증착하여 고유전체막을 형성함을 특징으로 하는 고유전체 커패시터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.