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다음 일반식(IV)의 화합물을 촉매 존재하에 다음 일반식(V)의 헤테로사이클릴 틴 화합물과 반응시켜 아미노기가 보호된 다음 일반식(III)의 중간체 화합물을 얻고, 이 화합물의 아미노 보호기를 제거하는 제1단계 및 아실화제로서 다음 일반식(II)으로 표시되는 활성화된 에스테르 화합물을 사용하여 얻어진 일반식(III)의 화합물의 7-아미노기를 아실화 시키고 임의로 아미노 보호기 및 카르복시 보호기를 제거하는 제2단계로 이루어진 일반식(I)의 세팔로스포린 유도체의 제조방법
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제1항에 있어서, 제1단계에서 촉매가 팔라듐 촉매, 할로겐화 금속 촉매 및 포스핀 화합물의 혼합물인 것이 특징인 제조방법
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제2항에 있어서, 팔라듐 촉매가 팔라듐(II)아세테이트, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0), 비스(디벤질리딘아세톤일)팔라듐 또는 트리스(디벤질리딘아세톤일)비스팔라듐이며, 할로겐화 금속 촉매가 LiCl, LiBr, MgCl2, ZnBr2 또는 ZnCl2이며, 포스핀 화합물이 트리페닐포스핀, 트리(3-플루오로페닐)포스핀, 디페닐메틸포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(2-티에닐)포스핀, 또는 트리(2-푸릴)포스핀인 것이 특징인 제조방법
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제1항에 있어서, 제1단계가 아세토니트릴, 디메틸술폭시드, 디메틸포름아미드, 디옥산, 테트라히드로푸란, 아세톤, 헥사메틸포스포러스아미드, N-메틸피롤리돈 및 1-메틸-2-피롤리돈중에서 선택된 반응용매내에내에서 수행되는 것이 특징인 제조방법
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제1항에 있어서, 제1단계가 -20℃ 내지 90℃의 반응 온도에서 수행되는 것이 특징인 제조방법
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제1항에 있어서, 제2단계가 틀로로메탄, 디클로로메탄, 테트라히드로푸란, 디옥산, 디메틸포름아미드, 디아세틸아미드, 아세톤, 물 및 이들의 혼합물중에서 선택된 반응용매내에서 수행되는 것이 특징인 제조방법
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제1항에 있어서, 제2단계에서, 일반식(II)의 에스테르 화합물이 일반식(III)의 화합물에 대해 1 내지 5 몰당량인 것이 특징인 제조방법
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제1항에 있어서, 제2단계가 -20℃ 내지 40℃의 반응 온도에서 수행되는 것이 특징인 제조방법
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제1항에 있어서, 제2단계가 1 내지 12시간의 반응시간 동안 수행되는 것이 특징인 제조방법
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