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고주파용유전체자기조성물

  • 기술번호 : KST2015119985
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고주파용 유전체 자기조성물에 관한 것으로, 종래의 유전체 자기조성물은 유전율이 40이하이지만, 낮은 유전손실을 갖는 Ba(M+21/3M+52/3)O3(M+2＝Mg, Zn, M+5＝Ta, Nb)계, Ba2Ti9O20계 및 (Zr, Sn)TiO4계와 유전손실은 비교적 크나 (Qxfo(GHz)＜10000) 유전율이 80이상인 BaO－Sm2O3－TiO2계, (Ba, Pb)O－Nd 2O3－TiO2계 및 (Pb, Ca)ZrO3계가 있으며, 일반적으로 유전율이 큰 재료는 유전체 내부의 쌍극자와 결함 등으로 인해 유전손실과 공진주파수의 온도계수가 증가하게 되며, 특히 고주파용 유전체는 우선적으로 공진주파수의 온도계수가 ±10ppm/℃정도로 안정하여야 응용이 가능하게 된다. 본 발명은 10GHz에서 유전율은 30이하이나, 17000이상의 높은 Q값을 갖는 Ba(Zn1/3 Ta2/3)O3와 Ba(Mg1/3 Ta2/3)O3를 WO3와 함께 BaO－4TiO2에 첨가함으로써 마이크로파 유전특성이 개선된 유전체 자기조성물을 얻도록 한 것이다.
Int. CL C04B 35/468 (2006.01)
CPC H01B 3/12(2013.01) H01B 3/12(2013.01)
출원번호/일자 1019940022756 (1994.09.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0118164-0000 (1997.07.14)
공개번호/일자 10-1996-0010584 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자 1019970005886 (19970421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.09)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경용 대한민국 서울특별시 강남구
2 박찬식 대한민국 인천직할시남구
3 김왕섭 대한민국 경기도수원시장안구
4 장광호 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0103076-68
2 특허출원서
Patent Application		 1994.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0103075-12
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.09.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0103077-14
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0058039-26
5 등록사정서
Decision to grant		 1997.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0058040-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다음의 조성 0

2 2

제1항에 있어서, 상기 Ba(Zn1/3 Ta2/3)O3와 Ba(Mg1/3 Ta2/3)O3이 각각 1

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.