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백색발광용전계발광소자및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015119986
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 백색발광용 전계발광표시소자(electroluminescent display)에 관한 것으로, 유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과; RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용하여 상기 투명전극상에 다층으로 이루어진 제1절연층(예컨대, Si3N4와 BaTiO3가 순차적으로 적층된 2층 구조)을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 발광층(예컨대, ZnS모체에 Pr과 Mn 이원중심을 첨가한 ZnS:Pr, Mn 재질의 발광층)을 형성하는 공정과; 상기 발광층의 박막 결정성 향상 및 발광중심인 Pr과 Mn의 효과적인 확산을 위하여 상기 패턴이 형성된 기판 전면을 진공열처리하는 공정과; 상기 발광층 상에 제2절연층(예컨대, 단일층의 Si3N4/BaTiO)을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 SiOXNY 절연막을 적층하여 보호층을 형성하는 공정 및; 상기 보호층 상에 열증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정을 거쳐 소자제조를 완료하므로써, 1) 종래 Pr 단일중심만을 사용하여 전계발광소자를 제조하였을 경우 발생되었던 녹색이 강한 백색을 띠는 현상을 제거할 수 있게되어 가시광 전 영역에서 고른 발광을 얻을 수 있으며, 2) 다색발광용 전계발광소자를 제조하려는 경우에 있어서도 발광중심으로 첨가한 Pr과 Mn 농도만을 가변시키므로써 원하는 스펙트럼을 얻을 수 있게 되어 고신뢰성의 백색발광용 전계발광소자를 구현할 수 있게 된다.
Int. CL H05B 33/14 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019950000923 (1995.01.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0164457-0000 (1998.09.12)
공개번호/일자 10-1996-0030747 (1996.08.17) 문서열기
공고번호/일자 (19990415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.01.20)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오명환 대한민국 서울특별시도봉구
2 한택상 대한민국 서울특별시송파구
3 이윤희 대한민국 서울특별시성북구
4 정성재 대한민국 경상북도구미시공
5 주영대 대한민국 대구직할시서구
6 선우진호 대한민국 경상북도구미시공

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.01.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004182-90
2 특허출원서
Patent Application		 1995.01.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004181-44
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.01.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004183-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0002125-44
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.06.17 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004184-81
6 의견서
Written Opinion		 1998.07.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004185-26
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.07.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0004186-72
8 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0002126-90
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

유리 기판과; 상기 유리기판 상에 형성되는 투명전극과; 상기 투명전극 상에 BaTiO3와 Si3N4가 순차적으로 증착되는 이층 구조로 이루어지는 제1절연층과; 상기 제1절연층 상에 ZnS 모체에 Pr과 Mn 이원중심을 첨가한 ZnS:Pr, Mn으로 이루어지는 발광층과; 상기 발광층상에 형성되는 Si3N4/BaTiO3로 이루어지는 제2절연층과; 상기 제2절연층 상에 형성되는 보호층과; 서로 분리되어 소정간격 이격되도록 상기 보호층 상에 형성된 알루미늄 전극;으로 이루어져 상기 알루미늄 전극과 투명전극으로 교류전압이 인가되도록 구성됨을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 보호층은 SiOxYy 절연막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자

3 3

유리기판 상에 ITO 투명전극을 형성하는 공정과; RF 반응성 스퍼터링 장치를 이용한 스퍼터링법으로 상기 투명전극 상에 BaTiO3가 적층되고 상기 BaTiO3 상에는 Si3N4가 적층된 이층구조를 갖도록 제1절연층을 형성하는 공정과; 상기 제1절연층 상에 ZnS 모체에 Pr과 Mn 이원중심을 첨가한 ZnS:Pr, Mn으로 이루어지는 발광층을 형성하는 공정과; 상기 발광층의 박막 결정성 향상을 위하여 상기 패턴이 형성된 기판 전면을 진공열처리하는 공정과; 상기 발광층 상에 Si3N4/BaTiO3의 단일층으로 제2절연층을 형성하는 공정과; 상기 제2절연층 상에 반응성 스퍼터링법으로 보호층을 형성하는 공정 및; 상기 보호층 상에 열증착법으로 알루미늄을 증착한 후 리프트-오프 공정으로 패터닝하여 서로 소정간격 이격되도록 알루미늄 전극을 형성하는 공정;으로 이루어는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 전계발광소자의 제1 및 제2절연층은 BaTiO3 등과 같은 강유전체계의 박막으로도 형성 가능한 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

5 5

제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 직경 3인치 두께 1/8인치의 Si3N4와 BaTiO3 세라믹 소결체를 이용한 스퍼터링 타게트로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 진공도 10-3-10-2 torr범위내의 기판온도 120℃ 상태에서 형성되는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연층은 O2/Ar=0-40% 내의 스퍼터링 분위기 하에서 RF 파워 밀도 2-6W/cm2로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

8 8

제3항에 있어서, 상기 발광층은 순도 4N을 갖는 Pr과 Mn을 각각 1

9 9

제8항에 있어서, E-빔법으로 증착된 상기 발광층은 300-600nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

10 10

제3항에 있어서, 상기 열처리 공정은 상기 ZnS:Pr, Mn 박막의 결정성 향상 및 발광중심인 Pr과 Mn의 효과적인 확산을 위해 진공도 1×10-5 torr로 기판온도 450℃에서 1시간 동안 실시하는 것을 특징으로 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

11 11

제3항에 있어서, 상기 보호층은 SiOXNY로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

12 12

제3항 또는 제11항에 있어서, 상기 보호층은 1500Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

13 13

제8항에 있어서, 상기 발광층은 Pr과 Mn 이원중심의 농도를 가변하여 색도 조절을 실시하는 것을 특징으로 하는 백색발광용 전계발광소자의 제조방법

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1 US05955835 US 미국 FAMILY

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1 US5955835 US 미국 DOCDBFAMILY
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