맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

모스캐패스터용유전박막조성물및그유전박막제조방법

  • 기술번호 : KST2015120042
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 모스 캐패시터용 유전 박막 조성물 및 그 유전 박막 제조방법에 관한 것으로, 종래 모스 캐피시터용 유전박막은 실리콘 기판과의 계면에서 많은 결함이 존재하여 이로인한 정정용량-전압 특성에서 많은 히스테리시스를 보이고 있어 이것을 이용한 응용소자의 경우 실용화하는데 문제점이 있으며, 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 초소형화시에는 고전압(8MV/cm)하에서 발생되는 유전막의 누설전류(leakage current)로 인하여 발생되는 읽기/쓰기 횟수(read/write cycle)의 감소 및 데이타 리텐션열화(data reterion degradation)가 해결되어야 하는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride)의 계면이 전기적으로 강하다는 점에 착안하여, TiO2의 음이온인 산소를 질소로 일부치환하여 유전상수가 크고 정전용량-전압 특성에서 쉽게 발생하는 히스테리시스(Hysteresis)가 없고 유전 파괴전압이 우수한 모스 캐패시터용 유전 박막 재료의 조성물을 제공하는 것이다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 28/55(2013.01)
출원번호/일자 1019940021213 (1994.08.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0134552-0000 (1997.12.31)
공개번호/일자 10-1996-0009052 (1996.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.08.26)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이동헌 대한민국 서울특별시성동구
2 이전국 대한민국 서울특별시도봉구
3 정형진 대한민국 서울특별시성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1994-0096206-42
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1994-0096205-07
3 특허출원서
Patent Application		 1994.08.26 수리 (Accepted) 1-1-1994-0096204-51
4 등록사정서
Decision to grant		 1997.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0054184-45
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

조성식이 TiO2-2XNX로 표시되고, x의 범위가 0

2 2

N2O와 Ti(OCH(CH3)2)4를 공급하여 화학기상증착법으로 TiO2-2XNX막을 형성함을 특징으로 하는 모스 캐패시터용 유전 박막 제조 방법

3 3

제2항에 있어서, x의 범위는 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.