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1,1-디플루오로에탄의정제방법

  • 기술번호 : KST2015120057
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염화비닐 불순물에 함유된 1,1-디플루오로에탄을 활성탄층과 접촉시켜 흡착법에 의해 흡착 제거함으로써 염화비닐의 함량을 10 ppm 이하로 감소시키는 것을 특징으로 하는 1,1-디플루오로에탄의 정제 방법에 관한 것이다.
Int. CL C07C 17/389 (2006.01)
CPC C07C 17/389(2013.01) C07C 17/389(2013.01)
출원번호/일자 1019950008464 (1995.04.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0159176-0000 (1998.08.10)
공개번호/일자 10-1996-0037627 (1996.11.19) 문서열기
공고번호/일자 (19990115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.04.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재덕 대한민국 서울특별시노원구
2 임종성 대한민국 서울특별시노원구
3 이윤우 대한민국 서울특별시성북구
4 이윤용 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.04.12 수리 (Accepted) 1-1-1995-0037434-63
2 출원심사청구서
Request for Examination
1995.04.12 수리 (Accepted) 1-1-1995-0037435-19
3 특허출원서
Patent Application
1995.04.12 수리 (Accepted) 1-1-1995-0037433-17
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1997.04.28 수리 (Accepted) 1-1-1995-0037436-54
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0018959-13
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.05.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0037438-45
7 의견서
Written Opinion
1998.05.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0037437-00
8 등록사정서
Decision to grant
1998.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0018960-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

염화비닐 불순물을 함유한 1,1-디플루오로에탄을 공지의 흡착제인 활성탄층과 -20 ~ 100℃의 온도로 1 ~ 15 기압의 압력에서 1 ~ 120 초동안 접촉시켜 흡착법에 의해 흡착 제거하여 염화비닐 함량을 감소시키는 것이 특징인 1,1-디플루오로에탄 (HFC-152a)의 정제 방법

2 2

제1항에 있어서, 흡착제는 비표면적이 500 ∼ 1500 ㎡/g인 활성탄인 것인 방법

3 3

제1항에 있어서, 흡착제는 비표면적이 1000 ∼ 1300 ㎡/g인 활성탄인 것인 방법

4 4

제1항에 있어서, 흡착은 -15 ∼ 50℃의 온도에서 수행하는 것인 방법

5 5

제1항에 있어서, 흡착은 1 ~ 10 기압의 압력에서 수행하는 것인 방법

6 6

제1항에 있어서, 염화비닐을 함유한 1,1-디플루오로에탄과 활성탄층의 접촉은 2 ∼ 20초 동안 수행하는 것인 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.