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고주파유전체자기조성물및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015120066
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고주파 유전체 자기조성물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래의 자기조성물은 유전율(k)이 40미만의 값을 가지며, 첨가물을 산화물 형태로 첨가하기 때문에, 미량 첨가시 정확한 공정제어에 어려움이 많은 문제점이 있었다.이에 본 발명에 의한 고주파 유전체 자기 조성물은 Zn1-XSnxTio4+YTiO2의 유전체 자기조성물을 주성분으로 하며, 이때 상기 X, Y는 몰(mol)비로서 0.1<X<0.4, 0<Y<0.1를 가지도록 하는 것이며, 첨가원소는 물에 녹는 염화니켈(NiCl2) 염화아연(ZnCl), 질산망간(Mn(NO3)2- 4H2O)형태로 첨가하였다.또한 이와같은 고주파 유전체 자기조성물을 산화지르코늄(ZrO2), 산화 주석(SnO2), 산화티탄(TiO2)으로 구성된 주조성물에 첨가원소로 수용성의 염화니켈(NiCl2), 염화아연(ZnCl), 질산망간(Mn(NO3)2- 4H2O)을 첨가하여 혼합후, 1000℃ 내지 1200℃에서 하소 하고, 다시 분쇄하여 성형한 다음 1200℃ 내지 1400℃의 온도의 산소 분위기에서 소성하는 순서로 진행되는 제조방법에 의해 제조함을 특징으로 하고 있다.
Int. CL C04B 35/462 (2006.01)
CPC C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01)
출원번호/일자 1019940024328 (1994.09.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0118145-0000 (1997.07.14)
공개번호/일자 10-1996-0010586 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자 1019970005884 (19970421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.27)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박융 대한민국 서울특별시동작구
2 김윤호 대한민국 서울특별시노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1994.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0110415-18
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0110416-53
3 출원심사청구서
Request for Examination
1994.09.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0110417-09
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1997.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0061957-96
5 등록사정서
Decision to grant
1997.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0061958-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다음의 조성

Zn1-x Snx TiO4 + Y TiO2

여기서, 0

2 2

산화지르코늄(ZrO2), 산화주석(SnO2), 산화티탄(TiO2)으로 구성된 주조성물에 첨가원소를 수용성의 염화니켈(NiCl2), 염화아연(ZnCl), 질산망간(Mn(NO3)2 ·4H2O)을 첨가하여 혼합 후, 1000℃ 내지 1200℃에서 하소하고, 다시 분쇄하여 성형한 다음 1200℃ 내지 1400℃의 온도의 산소분위기에서 소성함을 특징으로 하는 고주파 유전체 자기조성물이 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.