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오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015120122
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법에 관한 것으로, 넓은 에너지 밴드갭(3.6 eV) 구조를 가진 산화인듐(In2O3)박막으로부터 상온에서 안정된 가시광의 발광특성을 나타내는 박막을 형성함으로써 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 하는 방법을 제공하려는 것으로, 열진공증착기를 이용하여 인듐을 증착하는 공정과, 열처리공정에 의하여 미소결정립을 갖는 다결정 산화인듐박막을 형성함으로써 노화 현상없이 안정되고 강한 오렌지색(1.95 eV) 발광특성을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 넓은 에너지 밴드갭 구조를 갖는 절연성 산화인듐 재료로부터 상온 가시광의 발광특성을 나타내는 미소결정립의 다결정구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 광소자에의 응용가능성을 제공할 수 있는 것이다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01)
CPC C23C 14/5806(2013.01) C23C 14/5806(2013.01)
출원번호/일자 1019950051992 (1995.12.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0182372-0000 (1998.12.11)
공개번호/일자 10-1997-0043274 (1997.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (19990401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.19)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울특별시 강북구
2 민석기 대한민국 서울특별시 영등포구
3 이민석 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1995.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201333-19
2 출원심사청구서
Request for Examination
1995.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201335-00
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.12.19 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201334-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0106309-54
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1998.08.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201336-45
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201338-36
7 의견서
Written Opinion
1998.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201337-91
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.09.18 수리 (Accepted) 1-1-1995-0201339-82
9 등록사정서
Decision to grant
1998.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0476035-72
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘, 유리, 수정 및 몰리브덴 중에서 선택되는 어느 하나의 기판 위에 금속인듐을 80∼200nm의 두께로 증착시키고, 상기 금속인듐을 증착된 기판을 질소가스분위기에서 500∼900℃의 온도범위에서 30분 내지 2시간 동안 후열처리함으로써, 상온에서 안정된 오렌지색(1

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.