요약 | 본 발명은 진공 상태하에, 반응성 가스를 고분자 또는 질화물 표면에 직접 불어 넣어주면서, 에너지를 가진 이온 입자를 고분자 또는 질화물 표면에 조사하여 그 표면의 접촉각을 감소시켜 고분자 또는 질화물 표면을 개질하는 방법 및 상기 방법에 의해 얻어진 질화물에 구리 박막을 성막시켜 얻어지는 구리 직접결합 질화알루미늄 재료에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | H01L 21/265 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1019960011996 (1996.04.19) |
출원인 | 한국과학기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-0288500-0000 (2001.02.07) |
공개번호/일자 | 10-1996-0039135 (1996.11.21) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20010502) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1019960002456 | 1996.02.01
대한민국 | 1019950009194 | 1995.04.19 대한민국 | 1019950017514 | 1995.06.26 |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1999.03.31) |
심사청구항수 | 8 |