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전계방출소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120158
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 전계방출소자의 제조방법은, 실리콘 기판에, 복수개의 팁을 구비하는 상부와, 상기 상부를 지지하는 지지부와, 상기 상부와 지지부를 연결하는 연결부로 구성되는 수직형 실리콘 기둥을 형성하는 공정과; 상기 수직형 실리콘 기둥 양측의 실리콘 기판 및 상기 수직형 실리콘 기둥 위에 절연물질과 금속물질을 순차적층시킨 후 리프트 오프하여 상기 수직형 실리콘 기둥 양측에 게이트 전극을 형성하는 공정;을 포함하여 이루어지며, 상기 다수개의 팁을 통해 전계방출영역 및 방출 전류밀도를 증가시킬 수 있고, 상기 리프트 오프 공정에 의해 상기 게이트 전극 및 게이트 절연막을 간단하게 자기 정렬시킬 수 있으며, 또한 상기 게이트 전극과 전체 방출용 팁간의 거리를 매우 짧게 함으로써 게이트 구동전압을 현저히 낮출 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/00 (2006.01)
CPC H05B 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1019960011998 (1996.04.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0072506 (1997.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.04.19)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울특별시 성북구
2 이윤희 대한민국 서울특별시 성북구
3 오명환 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1996-0049682-39
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1996-0049684-20
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1996-0049683-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0453477-90
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0055433-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판에, 복수개의 팁을 구비하는 상부와, 상기 상부를 지지하는 지지부와, 상기 상부와 지지부를 연결하는 연결부로 수직형 실리콘 기둥을 형성하는 공정과; 상기 수직형 실리콘 기둥 양측의 실리콘 기판 및 상기 수직형 실리콘 기둥 위에 절연물질과 금속물질을 순차적층시킨 후 리프트 오프하여 상기 수직형 실리콘 기둥 양측에 게이트 전극용 금속막을 형성하는 공정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 방출소자의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 수직형 실리콘 기둥을 형성하는 공정은, 상기 실리콘 기판 위에 식각마스크를 형성하는 공정과, 상기 식각마스크를 적용하여 상기 실리콘 기판을 소정깊이까지 식각하는 공정과, 상기 실리콘기판 식각 후 결과물 전면을 열산화시켜 실리콘 열산화막을 형성하는 공정과, 상기 실리콘 열산화막을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 수직형 실리콘 기둥은 상기 상부의 수평단면적이 상기 연결부의 수평단면적보다 큰 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 절연물질과 금속물질은 전자선 증착법으로 증착시키는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법

5 5

제2항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 식각깊이는 1㎛∼ 2㎛정도임을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법

6 6

제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 절연물질은 상기 수직형 실리콘 기둥과 금속막이 동일 높이에서 인접하도록 상기 수직형 실리콘 기둥높이 정도로 증착시키는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법

7
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.