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PB(ZR1-XTIX)O3(PZT) 강유전 박막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120169
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법은, 스퍼터링법이나 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막 제조시 이용되는 증착조건 중, 타겟 성분의 Pb량(또는 PbO량)을, 증착된 박막의 조성이 20-60% 범위의 과량의 PbO 성분이 함유되도록 조절하거나, 혹은 그 증착압력을 5-100mTorr로 조절하여, 상기 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 저온증착하도록 이루어져, 1) 씨앗층을 도입하지 않고서도 기존의 경우보다 낮은 온도에서 우수한 결정성을 갖는 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 제조할 수 있고, 2) 고온증착시 발생되는 박막 조성 조절의 어려움이나 상기 박막을 사용하여 제조한 강유전 기억소자의 스위칭 특성 저하 등과 같은 현상을 제거할 수 있으며, 3) Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막의 피로 특성을 향상시킬 수 있는 고신뢰성의 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 구현할 수 있게 된다.
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 21/02197(2013.01) H01L 21/02197(2013.01) H01L 21/02197(2013.01) H01L 21/02197(2013.01)
출원번호/일자 1019960017011 (1996.05.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0233999-0000 (1999.09.15)
공개번호/일자 10-1997-0077619 (1997.12.12) 문서열기
공고번호/일자 (19991215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.05.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태송 대한민국 서울특별시 마포구
2 김동주 대한민국 서울특별시 성동구
3 이전국 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 정형진 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1996.05.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0066329-81
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.05.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0066328-35
3 특허출원서
Patent Application
1996.05.20 수리 (Accepted) 1-1-1996-0066327-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0463799-65
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 의견서
Written Opinion
1999.02.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-5092496-94
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.02.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5092509-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
11 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1999.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0116847-87
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.05.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-1999-0010647-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 등록사정서
Decision to grant
1999.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0249366-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

스퍼터링법 또는 레이저 에블레이션법을 이용한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 증착되는 강유전 박막이 20%-60% 범위의 과량의 PbO 성분을 함유하도록 타겟 성분의 Pb 또는 PbO량을 조절하여 500℃~550℃의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막을 증착한 후, 열처리하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 열처리 공정은 에어분위기나 산소분위기하에서 실시하는 것을 특징으로 하는 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법

4 4

제2항에 있어서, 상기 열처리 공정은 전기로 장입가열 방법, 관로용 노의 핫존을 통과하는 직접 가열법, 고속열처리 가열법 중 선택된 어느 한 방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법

5 5

스퍼터링법을 이용한 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법에 있어서, 상기 강유전 박막을 압력 5mT~100mT, 온도 450℃~600℃의 조건으로 증착하는 것을 특징으로 하는 Pb(Zr1-XTiX)O3 강유전 박막 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.