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반도체 금속박막의 배선방법

  • 기술번호 : KST2015120174
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 금속박막의 배선방법에 관한 것으로, 저압 화학 기상 증착법 또는 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 하여 구리를 증착시키도록 한 것이다.이러한 금속배선방법은 먼저 기판(3)상에 플라즈마 화학증착법으로 질화 텅스텐 확산 방지막(7)을 도포하고, 금속층(1)(6)인 Cu를 증착시키며, 접촉창으로서의 비아콘택 영역(5)과 금속층(1)을 연결시킬 때는 역시 플라즈마 화학증착법으로 증착된 질화 텅스텐 박막을 확산방지막으로 사용하여 금속배선하도록 한 것으로, 확산방지막인 질화 텅스텐 박막은 실리콘 기판(3)과 금속층(1)이 접촉되는 콘택 영역(2), 금속층(1)(6)과 절연막(4)사이, 금속층(1)(6)이 접촉되는 비아콘택 영역(5)에 적용되는 것이다. 이와 같이 Cu 확산방지를 위한 확산방지막으로 텅스텐 질화박막이 우수한 특성을 지님을 알 수 있다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01)
CPC H01L 21/76843(2013.01) H01L 21/76843(2013.01) H01L 21/76843(2013.01)
출원번호/일자 1019960010174 (1996.04.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0215540-0000 (1999.05.24)
공개번호/일자 10-1997-0072313 (1997.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (19990816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.04.04)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민석기 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김용태 대한민국 서울특별시 송파구
3 권철순 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0043202-19
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0043203-54
3 특허출원서
Patent Application		 1996.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0043201-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0431836-73
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1996-0809726-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.01.30 수리 (Accepted) 1-1-1999-5042592-63
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
10 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period		 1999.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0043763-50
11 의견서
Written Opinion		 1999.03.02 수리 (Accepted) 1-1-1999-5098939-58
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.03.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5099047-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
14 등록사정서
Decision to grant		 1999.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0130997-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판상에 화학 기상 증착법으로 500Å 이상의 두께를 가진 질화텅스텐을 사전 도포한 후, 구리를 금속 배선하여 600℃ 이상의 고온에서 후속 열처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 금속 박막의 배선방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 화학 기상 증착법은 저압 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 반도체 금속박막의 배선방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 화학 기상 증착법은 플라즈마 화학 기상 증착법인 것을 특징으로 하는 반도체 금속박막의 배선방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.