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고주파용 유전체 자기 조성물

  • 기술번호 : KST2015120192
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 더욱 향상된 품질계수(Q), 유전율(K)과 공진주파수의 온도계수(τf)를 얻기 위하여, 90에서 99몰%의 (ZrxSny)TizO4(x+y+z=2, 0.6≤x≤1.0, 0≤y≤0.4, 0.6≤z≤1.4)를 주성분으로 하는 유전체 자기 조성물에 0.5에서 5.0몰%의 산화마그네슘 및 0.5에서 5.0몰%의 산화탄탈륨 또는 0.5에서 5.0몰%의 산화니오비늄의 복합물이 첨가되고 이에 부가하여 0.75에서 1.5중량%의 산화아연이 가해져 소결된 고주파용 유전체 자기 조성물을 제공한다.
Int. CL C04B 35/46 (2006.01)
CPC C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01) C04B 35/462(2013.01)
출원번호/일자 1019960032976 (1996.08.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0162873-0000 (1998.09.01)
공개번호/일자 10-1998-0014130 (1998.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (19981116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.08.08)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 정형진 대한민국 서울특별시 성북구
3 오현상 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1996-0117227-18
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1996-0117228-53
3 특허출원서
Patent Application		 1996.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1996-0117226-62
4 등록사정서
Decision to grant		 1998.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0047962-65
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

90에서 99몰%의 (ZrxSny)TizO4(x+y+z=2, 0

2 2

제1항에 있어서, 상기 (ZrxSny)TizO4(x+y+z=2, 0

3 3

제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘의 양이 1

4 4

제1항에 있어서, 상기 산화탄탈륨의 양이 1

5 5

제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 x, y, z가 x=0

6 6

90에서 99몰%의 (ZrxSny)TizO4(x+y+z=2, 0

7 7

제6항에 있어서, 상기 (ZrxSny)TizO4(x+y+z=2, 0

8 8

제6항에 있어서, 상기 산화마그네슘의 양이 0

9 9

제6항에 있어서, 상기 산화니오비늄의 양이 0

10 10

제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 x, y, z가 x=0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.