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주성분이 황화납인 납 분진의 화학적 처리 방법

  • 기술번호 : KST2015120217
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 주성분이 황화납인 연진을 황산과 강력한 산화제인 질산의 혼합액을 사용하여 황산화시켜 황산납을 제조하는 제1 단계, 황산납을 탄산염 용액을 사용하여 탄산화시켜 탄산납을 제조하는 제2 단계, 탄산납을 질산을 사용하여 침출 처리하여 정제된 질산납을 제조하는 제3 단계를 포함하는 연진의 화학적 처리 방법이 개시되어 있다. 이와 같은 연진의 화학적 처리 방법을 사용하면, 환경 오염물질의 배출을 최소화할 수 있고, 연진을 건식 제련 공정에 재투입시킬 필요없이 큐폴라이 조업을 원활히 하는 동시에, 부가가치가 높은 형태의 납을 저비용으로 생산할 수 있다.
Int. CL C22B 7/02 (2006.01) C22B 13/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970024825 (1997.06.16)
출원인 한국과학기술연구원, 대한전지연 주식회사
등록번호/일자 10-0199665-0000 (1999.03.05)
공개번호/일자 10-1999-0001477 (1999.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990615) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.06.16)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 대한전지연 주식회사 대한민국 경기 안산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오종기 대한민국 서울특별시 중랑구
2 이화영 대한민국 서울특별시 노원구
3 김성규 대한민국 서울특별시 종로구
4 이진영 대한민국 서울특별시 송파구
5 신중극 대한민국 경기도 안산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한전지연 주식회사 대한민국 경기도 안산시
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1997.06.16 수리 (Accepted) 1-1-1997-0079557-12
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.06.16 수리 (Accepted) 1-1-1997-0079556-77
3 특허출원서
Patent Application
1997.06.16 수리 (Accepted) 1-1-1997-0079555-21
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 등록사정서
Decision to grant
1999.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0061711-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

주성분이 황화납인 연진을 황산과 강력한 산화제인 질산의 혼합액을 사용하여 황산화시켜 황산납을 제조하는 제1 단계, 상기 황산납을 탄산염 용액을 사용하여 탄산화시켜 탄산납을 제조하는 제2 단계, 상기 탄산납을 질산을 사용하여 침출 처리하여 정제된 질산납을 제조하는 제 3 단계를 포함하는 연진의 화학적 처리 방법

2 2

제1항에 있어서, 탄산염이 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 탄산암모늄 및 탄산수소암모늄으로 이루어지는 군으로부터 선택된 것인 방법

3 3

제1항에 있어서, 황화납의 황산화 처리시 5 중량% 이상의 황산 및 5 중량% 이상의 질산의 혼합액을 사용하는 방법

4 4

제1항에 있어서, 황산납의 탄산화 처리시 탄산염 대 황산납의 당량비가 1 5

제1항에 있어서, 질산 침출 처리시 3
지정국 정보가 없습니다

패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.