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반도체기판의정전열접합방법

  • 기술번호 : KST2015120239
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 기판의 정전 열 접합방법에 관한 것으로, 종래 반도체 기판의 정전 열 접합방법은 높은 온도와 높은 전압이 요구되어 제조비용이 증가할 뿐만 아니라 접합 강도가 낮고, 기판에 코닝 #7740유리를 스퍼터를 사용하여 증착함으로써, 기판에 손상을 줄 뿐만 아니라 공정시간도 지연되는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 반도체 기판을 세척하는 제 1세척단계와; 세척된 반도체 기판에 실리콘 산화물과 금속 산화물을 혼합한 혼합물을 증착하는 증착단계와; 상기 혼합물이 증착된 반도체 기판을 세척하는 제 2세척단계와; 상기 혼합물이 증착된 반도체 기판과 일반 반도체 기판에 열과 전압을 인가하여 접합시키는 접합단계로 이루어져 전자선 증착법으로 금속 산화물과 실리콘 산화물의 혼합물을 반도체 기판 위에 증착하여 두 반도체 기판의 접합시 중간층으로 이용함으로써, 공정시간을 단축하고, 낮은 온도 및 전압에서 공정하여 제조비용을 절감하며, 소자의 응용시 적당한 강한 접합강도를 얻을 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/00 (2006.01)
CPC H01L 21/187(2013.01) H01L 21/187(2013.01) H01L 21/187(2013.01) H01L 21/187(2013.01) H01L 21/187(2013.01)
출원번호/일자 1019970046678 (1997.09.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0286252-0000 (2001.01.11)
공개번호/일자 10-1999-0025164 (1999.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20010416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.11)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울특별시 성북구
2 최우범 대한민국 경기도 고양시 덕양구
3 정지원 대한민국 서울특별시 성동구
4 오명환 대한민국 서울특별시 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1997-0148121-27
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1997-0148122-73
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.11 수리 (Accepted) 1-1-1997-0148123-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0380897-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2000-5048359-19
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2000-5076577-56
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2000-5108076-89
14 의견서
Written Opinion		 2000.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2000-5139028-13
15 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.05.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5139032-07
16 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0336913-34
17 FD제출서
FD Submission		 2001.01.29 수리 (Accepted) 2-1-2001-5013370-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판을 세척하는 제 1세척단계와; 세척된 반도체 기판에 실리콘 산화물과 금속 산화물을 혼합한 혼합물을 증착하는 증착단계와; 상기 혼합물이 증착된 반도체 기판을 세척하는 제 2세척단계와; 상기 혼합물이 증착된 반도체 기판에 10~500℃의 온도를 인가하고 일반 반도체 기판에 10~400V의 전압을 인가하여 접합시키는 접합단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 정전 열 접합방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2세척단계는 반도체 기판을 아세톤, 메탄올 및 탈 이온수를 사용하여 세척하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 정전 열 접합방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 증착단계는 실리콘 산화물과 금속 산화물을 혼합한 혼합물을 소스로 하는 전자선 증착법을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 정전 열 접합방법

4 4

제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 금속 산화물은 리튬 옥사이드(Li2O), 베릴륨 옥사이드(BeO), 보론 옥사이드(B2O3), 마그네슘 옥사이드(MgO), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 칼륨 옥사이드(K2O), 칼슘 옥사이드(CaO)중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 정전 열 접합방법

5 5

제 1항 또는 3항에 있어서, 상기 혼합물은 금속 산화물이 실리콘 산화물의 0

6 6

제 1항에 있어서, 상기 증착단계는 130~300℃의 기판온도와 2

7 7

제 1항에 있어서, 상기 증착단계의 증착속도는 1초에 1~100 ANGSTROM 씩 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 정전 열 접합방법

8 8

제 1항에 있어서, 상기 증착단계는 0

9 9

제 1항에 있어서, 상기 접합단계는 혼합물이 증착된 실리콘 기판과 ITO(INDIUM TIN OXIDE)코팅 유리 기판을 접합하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 정전 열 접합방법

10 10

제 9항에 있어서, 상기 접합단계는 혼합물이 증착된 실리콘 기판과 ITO코팅 유리기판의 ITO박막에 전압을 인가하고, ITO코팅 유리 기판의 온도를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 정전 열 접합방법

11 11

제 9항에 있어서, 상기 기판온도는 10~500℃이고, 상기 전압은 10~400V인 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 정전 열 접합방법

12 12

제 1항에 있어서, 상기 접합단계는 5~60분 동안 접합을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 정전 열 접합방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.