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갈륨비소기판(1)에 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)막(2)을 형성하는 단계와; 갈륨비소기판(1)에 형성된 알루미늄갈륨비소막(2)의 상부에 포토레지스트(3)를 도포하고, 패턴을 형성하는 단계와; 상기 패턴이 형성된 포토레지스트(3)를 마스크로 사용하여 알루미늄갈륨비소막(2)과 갈륨비소기판(1)의 일부까지 V자 형태로 식각하는 단계와; 상기 포토레지스트(3)를 제거하는 단계와; 상기 형성된 V자 형태 홈의 좌우측에 형성된 알루미늄갈륨비소막(2)에 산소이온을 주입하여 산화알루미늄막(4)을 형성하는 단계와; 상기 갈륨비소기판(1)에 형성된 V자 형태홈의 가장 깊은 부분에 유기금속 화학증착법을 사용하여 고밀도 갈륨비소(5)를 증착하고, 상기 갈륨비소기판(1)에 형성된 V자 형태홈의 가장 깊은 부분에 형성된 갈륨비소(5) 및 노출된 갈륨비소기판(1)과 산화알루미늄막(4)의 상부에 유기금속 화학증착법을 사용하여 알루미늄갈륨비소막(6)을 증착하는 공정을 반복 수행하여 양자세선을 형성하는 단계와; 상기 공정으로 양자세선이 형성된 갈륨비소기판(1)을 (110)방향으로 벽개하는 단계와; 상기 다층의 알루미늄갈륨비소막(6)을 산화하여 산화알루미늄막(7)을 형성한 후, 유기금속 화학증착법을 사용하여 갈륨비소(5)의 상부에 알루미늄갈륨비소 및 갈륨비소를 순차반복적으로 단결정성장시킴으로써 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법
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제1항에 있어서, 유기금속 화학증착법은 고순도 수소를 전달 개스로 하고, 총 유량은 분당 5 내지 8리터로 하며, 3족 유기금속 원료는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄 및 트리메틸인듐을 사용하며, 5족 원료로는 비소개스를 사용하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법
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제1항에 있어서, 갈륨비소기판(1)은 (100)방향의 것을 사용한 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법
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제1항에 있어서, 알루미늄갈륨비소막(2)는 그 알루미늄의 몰수비가 0
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제1항에 있어서, V자형의 홈은 포토레지스트(3)를 식각 마스크로 하여 일정비율의 H2SO4:H2O2:H2O 용액을 사용하는 습식에칭방법으로 상기 노출된 알루미늄갈륨비소막(2) 및 갈륨비소기판(1)의 일부를 (01T)방향으로 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법
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제1항에 있어서, 산화알루미늄막(7)을 형성하는 방법은 갈륨비소(5) 및 알루미늄갈륨비소막(6)이 다층으로 형성된 갈륨비소기판(1)을 반응로에 장착시키고, 반응로의 분위기를 450
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제1항에 있어서, 알루미늄갈륨비소막(6)은 알루미늄의 몰비가 0
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