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LCR 동시소성을 위한 저항체용 페이스트 제조방법및 그를 이용 한 후막 저항체 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120282
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 파이로클로(pyrochlore) 구조인 Pb2Ru2O6.5 계의 원료 분말 70중량%와, 결합제(binder) 20중량% 및 유기용매 10중량%를 혼합하거나, 또는 5중량%의 RuO2 분말과 95중량%의 유리 프릿트(SiO2-Bi2O3-CaO-Na2O )가 단순 혼합된 원료분말에 위와 같은 결합제 및 유기용매를 혼합하는 방법으로 저항체용 페이스트를 제조하였다. 이러한 페이스트를 알루미나, 유전체·자성체기판에 후막의 형태로 처리하고, 그 저항제를 고온·장시간의 열처리로 동시소성하여, 계면이 안정하고 전기적 특성이 양호한 후막저항체를 제조하였다. 또한, 도전상과 절연상의 혼합비율을 조절함으로써, 넓은 저항범위를 가지는 후막 저항체의 조성을 개발하였다.
Int. CL H01C 17/00 (2006.01)
CPC H01C 17/06526(2013.01) H01C 17/06526(2013.01) H01C 17/06526(2013.01) H01C 17/06526(2013.01) H01C 17/06526(2013.01)
출원번호/일자 1019970049103 (1997.09.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0246720-0000 (1999.12.07)
공개번호/일자 10-1999-0026804 (1999.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.09.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박지애 대한민국 경기도 부천시 원미구
2 이동아 대한민국 서울특별시 광진구
3 김구대 대한민국 서울특별시 강남구
4 이홍림 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.09.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0155849-11
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.09.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0155851-03
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.09.26 수리 (Accepted) 1-1-1997-0155850-57
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 등록사정서
Decision to grant		 1999.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0358676-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

PbO 60-65 중량%, Al2O3 2

2 2

PbO 60-65 중량%, Al2O3 2

3 3

PbO 60-65 중량%, Al2O3 2

4 4

RuO2 분말 5-10중량%와 유리 프릿트(SiO2-Bi2O3-CaO-Na2O) 90-95 중량% 으로 이루어지는 분말 70중량%, 유기 결합제(vehicle) 20중량% 및 유기 용매 10 중량%의 혼합물로 이루어지는 틱소트로피(thixotropy) 성질을 가지는 저항체 페이스트

5 5

알루미나 기판 상에 제3항 또는 제4항에 의한 저항체용 페이스트를 후막처리하여, 그를 매시간당 300-1200℃인 승온율로 850-920℃ 까지 승온하여, 10-120분간 유지한 후, 매시간당 200-400℃로 냉각시켜 소성함으로써, 다양한 범위의 소결 면저항을 가지는 저항체를 만드는 것을 특징으로 하는 후막 저항체 제조방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 알루미나 기판 상에 스크린 프린터를 이용하여 전극(은 페이스트)을 형성하고, 저항체를 후막처리 하여, 상기 전극과 저항체를 동시에 상기와 같은 방법으로 소성하는 것을 특징으로 하는 후막 저항체 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.