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평탄한 계면을 갖는 전계발광 소자 및 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120425
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유리기판(1)의 상부에 순차적으로 투명 도전막(2), 삽입층(3), 하부 고유전율 절연층(4), 발광층(5), 삽입층(6), 상부 고유전율 절연층(7) 및 상기 상부 고유전율 절연층(7)의 상부에 부분적으로 증착된 배면전극(8)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전계발광 소자에 관한 것으로, 유리기판과 고유전율 박막층의 사이에 삽입층을 도입하여 표면특성이 평탄한 하부 절연층을 구현하여 다결정질의 고유전율 절연막을 사용한 전계발광 소자에서 전기장을 균일하게 분포시킴으로써 소자의 안정성을 높였을 뿐만 아니라, 표면 거칠기의 감소로 전기장분포가 균일하며 매우 안정적인 발광을 얻어내는 효과가 있다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01)
CPC H05B 33/22(2013.01) H05B 33/22(2013.01) H05B 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1019990002577 (1999.01.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0283283-0000 (2000.12.06)
공개번호/일자 10-2000-0051875 (2000.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20010215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.01.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이윤희 대한민국 서울특별시동대문구
2 주병권 대한민국 서울특별시동대문구
3 오명환 대한민국 서울특별시강북구
4 이남양 대한민국 경기도수원시팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.01.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-0005743-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
5 등록사정서
Decision to grant		 2000.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0306561-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

유리기판(1)의 상부에 순차적으로 투명 도전막(2), 삽입층(3), 하부 고유전율 절연층(4), 발광층(5), 삽입층(6), 상부 고유전율 절연층(7) 및 상기 상부 고유전율 절연층(7)의 상부에 부분적으로 증착된 배면전극(8)으로 구성된 것을 특징으로 하는 전계발광 소자

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 삽입층(3 및 6)이 SiO2, SiON, Y2O3 또는 MgO로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계발광 소자

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 하부 고유전율 절연층(4) 및 상부 고유전율 절연층(7)이 BaTiO3, SrTiO3 또는 BaTiO3-SrTiO3으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계발광 소자

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 발광층(5)은 ZnS, SrS, CaS, CaGa2S4, SrGa2S4, BaGa2S4 또는 이들의 혼합물을 모체로 하고 전이 금속이나 희토류 원소를 단일 또는 이원으로 첨가한 화합물로 이루어지는 단일 발광막 또는 다층의 발광막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 전이 금속이 Mn인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자

6 6

제 4 항에 있어서, 상기 희토류 원소는 Pr, Ce, Eu, Cu, Pb, Sm 및 Tb로 이루어지는 군중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자

7 7

유리기판(1)에 투명 도전막(2)을 코팅하는 단계와; 투명도전막위에 물리적 또는 화학적 증착방법에 의해 삽입층(3)을 형성하는 단계와; 삽입층위에 반응성 스퍼터링법을 이용하여 고유전율 하부 절연층(4)을 형성하는 단계와; 하부 절연층위에 전자선 증착법, 스퍼터법 또는 MSD(multi sources deposition)법을 이용하여 발광층(5)을 형성하는 단계와; 발광층의 상부에 물리적 또는 화학적 증착방법에 의해 삽입층(6)을 형성하는 단계와; 삽입층위에 반응성 스퍼터링법을 이용하여 고유전율 상부 절연층(7)을 형성하는 단계와; 상부 고유전율 절연층의 상부에 부분적으로 증착시켜 불투명 반사 전극인 배면전극(8)을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자의 제조방법

8 8

제 7 항에 있어서, 상기 삽입층(3)의 두께가 10-70nm 이고 상기 삽입층(6)의 두께가 10-80nm인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자의 제조방법

9 9

제 7 항에 있어서, 상기 하부 고유전율 절연박막층(4)을 기판온도 400-550℃, 분위기 기체의 조성은 Ar:O2의 비를 50-80% : 50-20%로 유지하며 200nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자의 제조방법

10 10

제 7 항에 있어서, 상기 상부 고유전율 절연막(7)을 기판온도 200-300℃로 유지하며 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.