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질소 공급원으로서 질소 원자-활성종을 사용하는 유기금속화학증착에 의한 ＩＩＩ족 금속 질화물 박막의 성장 방법

  • 기술번호 : KST2015120569
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기금속 화학증착법에 의한 단결정, 비정질 또는 다결정의 III족 금속 질화물 박막의 성장 방법에 있어서 질소의 공급원으로서 활성 상태의 질소 원자 (N*, 질소 원자-활성종)를 사용하는 것에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 종래의 III족 금속 질화물의 유기금속 화학증착법에서 질소 공급원으로 사용되는 암모니아 기체 (NH3) 대신, 질소 원자-활성종, 특히 유전체 장벽 방전에 의한 질소 원자-활성종을 사용함으로써, 약 700 ℃ 내지 1000 ℃의 저온에서 단결정 사파이어 (α-Al2O3) 뿐만 아니라, 실리콘 (Si), 갈륨비소 (GaAs) 또는 석영 웨이퍼, 또는 다결정의 실리카 유리 (SiO2-유리) 기판 위에도 단결정, 비정질 또는 다결정의 III족 금속 질화물 박막을 성장시킬 수 있다. 또한, 암모니아를 사용하는 경우처럼 질소 원자-활성종을 불필요하게 많은 양으로 공급하지 않아도 될 뿐 아니라, 필요에 따라 충분한 양의 질소 원자-활성종을 공급할 수 있기 때문에 III족 금속 질화물 박막의 성장 속도가 빨라진다. III족 금속 질화물 박막, 질소 원자-활성종, 유전체 장벽 방전 (DBD), 유기금속 화학증착방법 (MOCVD)
Int. CL C23C 16/00 (2006.01)
CPC C23C 16/452(2013.01) C23C 16/452(2013.01) C23C 16/452(2013.01)
출원번호/일자 1019990053735 (1999.11.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0346015-0000 (2002.07.12)
공개번호/일자 10-2001-0048874 (2001.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.11.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 금동화 대한민국 서울특별시양천구
2 이지화 대한민국 서울특별시관악구
3 김진상 대한민국 서울특별시영등포구
4 김주성 대한민국 인천광역시연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.11.30 수리 (Accepted) 1-1-1999-0159424-83
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0310362-13
4 의견서
Written Opinion		 2002.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2002-0009325-49
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.01.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0009323-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
7 등록결정서
Decision to grant		 2002.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0225669-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

III족 원소의 공급원으로서 유기금속 화합물 전구체 또는 그의 혼합물을 사용하고, 질소의 공급원으로서 유전체 장벽 방전에 의해 생성된 활성 상태의 질소 원자 (질소 원자-활성종)를 사용하여, 화학 증착 반응기 내 기판의 온도 700 ℃ 내지 1000 ℃에서 화학 증착 반응시키는 것을 포함하는, 기판 위에 단결정의 III족 금속의 질화물 박막을 성장시키는 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판이 단결정 형태의 사파이어 (α-Al2O3), 실리콘 (Si), 갈륨비소(GaAs) 또는 석영 웨이퍼, 또는 실리카 유리인 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 유전체 장벽 방전은 수 ㎜의 간격으로 이격된 금속 전극과 고유전율 물질 사이의 유전체 장벽에 약 500 kHz 이하의 중,저주파수의 교류 전원을 인가하여 유전체에 도전된 전하가 순간적으로 방전되는 전자 충격 (마이크로 방전 반응)이 연속적으로 일어나는 환경 하에 질소 기체 (N2)를 통과시킴으로써 수행되는 것인 방법

4 4

제3항에 있어서, 유전체 장벽 방전시 질소 기체와 함께 아르곤 기체를 통과시키는 방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 III족 원소가 Al, Ga 또는 In이고, 이들의 유기금속 화합물이 트리메틸알루미늄, 트리메틸갈륨, 또는 트리에틸인듐인 방법

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1 JP2001199800 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3479041 JP 일본 DOCDBFAMILY
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