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플라즈마를 이용한 재료 표면에의 고분자 중합막 합성방법 및 그 방법으로 제조된 고분자 재료

  • 기술번호 : KST2015120584
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 챔버 내에서 표면 처리하고자 하는 금속 또는 절연 재료 (세라믹 또는 고분자)를, 금속의 경우에는 양극으로 절연재료의 경우에는 금속 양극위에 설치하는 방법으로 양극을 위치시키고 한쪽 편에 음극을 위치시킨 후, 상기 챔버내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고, 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 또는 불소계 단량체 가스를 소정 압력의 중합 불능 (non-polymerizable) 가스와 혼합하여 챔버 내로 도입하고, 상기 전극에 전압을 인가하여 DC 방전에 의해, 상기 불포화 지방족 탄화수소 가스 또는 불소를 포함하는 단량체 가스와 중합 불능 가스로부터 기인하는 양(+) 및 음(-) 이온 및 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 금속 양극 표면에 혹은 금속 양극위에 설치된 절연재료 표면에 친수성 또는 소수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는 DC 방전 플라즈마를 이용한 금속 또는 절연재료 표면에의 고분자 중합막 합성방법을 제공하고, RF 방전 플라즈마를 이용한 금속, 세라믹 또는 고분자를 포함하는 재료 표면에의 고분자 중합막 합성방법을 제공한다.
Int. CL C23C 4/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019997011139 (1999.11.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0336622-0000 (2002.05.01)
공개번호/일자 10-2001-0013156 (2001.02.26) 문서열기
공고번호/일자 (20020516) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR1998/000372 (1998.11.21)
국제공개번호/일자 WO1999027156 (1999.06.03)
우선권정보 대한민국  |   1019970061767   |   1997.11.21
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.11.29)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고석근 대한민국 서울특별시동대문구
2 정형진 대한민국 서울특별시동대문구
3 최원국 대한민국 서울특별시양천구
4 김기환 대한민국 서울특별시노원구
5 하삼철 대한민국 경상남도창원시
6 김철환 대한민국 경상남도창원시대방동대방지구
7 최성창 대한민국 서울특별시영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제201조 및 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Articles 201 and 203 of Patent Act		 1999.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-0158599-85
2 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 2000.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2000-5001505-44
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0328185-04
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.01.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0028202-22
6 의견서
Written Opinion		 2002.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-0028206-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0142620-92
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

(a) 챔버 내에 표면 처리하고자 하는 금속재료로 이루어지는 양극과 음극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 또는 불소계 단량체 가스와 소정 압력의 중합 불능 가스를 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 DC 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 가스 또는 불소계 단량체 가스와 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온 및 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 양극 표면에 친수성 또는 소수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; DC 방전 플라즈마를 이용한 금속 표면에의 고분자 중합막 합성방법

2 2

(a) 챔버 내에 표면 처리하고자 하는 절연재료가 그 표면 위에 설치된 금속 양극과 음극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 또는 불소계 단량체 가스와 소정 압력의 중합 불능 가스를 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 DC 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 가스 또는 불소계 단량체 가스와 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온 및 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 양극에 설치된 절연 재료 표면에 친수성 또는 소수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; DC 방전 플라즈마를 이용한 고분자 또는 세라믹과 같은 절연 재료 표면에의 고분자 중합막 합성방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 DC 방전이 전 처리 시간 동안에 ON/OFF 펄스 형태로 주기적으로 행해져 상기 고분자의 친수성능을 향상시키는 고분자 중합막 합성방법

4 4

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (d) 단계에서 얻어진 고분자가 O2, N2, CO2, CO, H2O and NH3 가스로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 중합 불능 가스의 플라즈마에 의해 표면처리되어 고분자의 친수성능을 향상시키는 고분자 중합막 합성방법

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 중합 불능 가스가 불활성 가스와 함께 사용되는 고분자 중합막 합성방법

6 6

제 4 항에 있어서, 상기 추가적인 플라즈마 처리시 (d) 단계에서 고분자가 증착된 상기 전극 또는 절연재료가 음극으로 사용되는 고분자 중합막 합성방법

7 7

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (d) 단계의 플라즈마에 의한 고분자 중합 단계는 1초 내지 2분 동안 수행되는 고분자 중합막 합성방법

8 8

제 7 항에 있어서, 상기 (d) 단계의 플라즈마에 의한 고분자 중합 단계는 5초 내지 60초 동안 수행되는 고분자 중합막 합성방법

9 9

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스의 비율에 따라 상기 고분자 중합막의 성질이 결정되는 고분자 중합막 합성방법

10 10

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 불소계 단량체 가스 및 중합 불능 가스의 비율에 따라 상기 고분자 중합막의 성질이 결정되는 고분자 중합막 합성방법

11 11

제 10 항에 있어서, 상기 불소계 단량체 가스는 C2H2F2, C2HF3와 같이 C, H 및 F로 구성되는 단량체 가스이고, 적어도 하나의 탄소 이중 결합을 갖고 있는 고분자 중합막 합성방법

12 12

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 중합 불능 가스는 전 가스 혼합체의 0 내지 90%인 고분자 중합막 합성방법

13 13

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 고분자 중합막을 대기 중에서, 100-400℃ 온도범위로, 1분 내지 60 분 동안 열처리하는 고분자 중합막 합성방법

14 14

(a) 챔버 내에 표면 처리되는 재료인 수동 전극과 금속인 능동 전극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 또는 불소계 단량체 가스와 소정 압력의 중합 불능 가스를 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 RF 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 가스 또는 불소계 단량체 가스와 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온 및 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 수동 전극 표면에 친수성 또는 소수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; RF 방전 플라즈마를 이용한 금속, 세라믹 또는 고분자를 포함한 재료 표면에의 고분자 중합막 합성방법

15 15

제 14 항에 있어서, 상기 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스의 비율에 따라 상기 고분자 중합막의 성질이 결정되는 고분자 중합막 합성방법

16 16

제 14 항에 있어서, 상기 불소계 단량체 가스 및 중합 불능 가스의 비율에 따라 상기 고분자 중합막의 성질이 결정되는 고분자 중합막 합성방법

17 17

제 16 항에 있어서, 상기 불소계 단량체 가스는 C2H2F2, C2HF3와 같이 C, H 및 F로 구성되는 단량체 가스이고, 적어도 하나의 탄소 이중 결합을 갖고 있는 고분자 중합막 합성방법

18 18

제 14 항에 있어서, 상기 고분자 중합막을 대기 중에서, 100-400℃ 온도범위로, 1분 내지 60 분 동안 열처리하는 고분자 중합막 합성방법

19 19

(a) 챔버 내에 표면 처리되는 재료인 수동 전극과 금속인 능동 전극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불소계 단량체 가스와 소정 압력의 중합 불능 가스를 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 RF 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불소계 단량체 가스와 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온 및 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 능동 전극 표면에 소수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; RF 방전 플라즈마를 이용한 금속, 세라믹 또는 고분자를 포함한 재료 표면에의 고분자 중합막 합성방법

20 20

전술한 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되어 친수성 또는 소수성이 뛰어난 고분자를 갖는 재료

21 21

제 20 항에 있어서, 상기 재료는 도장성이 뛰어난 고분자 중합막을 갖는 재료

22 22

제 20 항에 있어서, 상기 재료는 내식성이 뛰어난 고분자 중합막을 갖는 재료

번호, 국가명의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 지정국 표입니다.
번호 국가명
1 가나,케냐,수단,스와질랜드,우간다,짐바브웨
2 아르메니아,아제르바이잔,벨라루스,키르키즈스탐,카자흐스탄,몰도바,러시아,타지키스탄
3 오스트리아,벨기에,스위스,사이프러스,독일,덴마크,스페인,핀란드,프랑스,영국,그리스,아일랜드,이탈리아,룩셈부르크,모나코,네덜란드,포르투칼,스웨덴
4 부르키나파소,베닌,중앙아프리카,콩고,코트디브와르,카메룬,가봉,모리타니,니제르,세네갈,토고
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01040210 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01040210 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01312422 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP01312422 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 JP03426582 JP 일본 FAMILY
6 JP13524602 JP 일본 FAMILY
7 KR1019990041210 KR 대한민국 FAMILY
8 US20010045351 US 미국 FAMILY
9 WO1999027156 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU1507999 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU1507999 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 AU750205 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
4 AU750205 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
5 CN1116437 CN 중국 DOCDBFAMILY
6 CN1259173 CN 중국 DOCDBFAMILY
7 EP1040210 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
8 EP1040210 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
9 EP1312422 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
10 EP1312422 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
11 ES2219922 ES 스페인 DOCDBFAMILY
12 JP2001524602 JP 일본 DOCDBFAMILY
13 JP2001524602 JP 일본 DOCDBFAMILY
14 JP2001524602 JP 일본 DOCDBFAMILY
15 JP3426582 JP 일본 DOCDBFAMILY
16 KR19990041210 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
17 TR200001459 TR 터어키 DOCDBFAMILY
18 US2001045351 US 미국 DOCDBFAMILY
19 WO9927156 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
20 WO9927156 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.