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자기 센서용 단층 입상구조형 박막

  • 기술번호 : KST2015120587
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3층 구조를 갖는 종래의 거대자기저항 구조를 대체할 수 있는 페로브스카이트 망간 산화물층을 이용한 자기센서용 박막에 관한 것으로, 다결정체 기판 위에 형성되는 단층 입상구조의 La0.67(Sr,Ba)0.33MnO3 페로브스카이트 망간 산화물층으로 이루어지고, 상기 망간 산화물층은 저 인가자장하에서 및 상온에서 자기저항비가 뛰어난 자기 센서용 박막 및 졸-겔법을 이용한 상기 박막의 제조방법을 제공한다.
Int. CL G01R 33/09 (2006.01) H01L 43/08 (2006.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1019990042480 (1999.10.02)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0346135-0000 (2002.07.12)
공개번호/일자 10-2001-0035759 (2001.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20020801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.02)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오영제 대한민국 서울특별시영등포구
2 심인보 대한민국 서울특별시마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.10.02 수리 (Accepted) 1-1-1999-0122999-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0199226-95
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.09.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0247600-82
5 의견서
Written Opinion		 2001.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0247599-12
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0097792-80
8 의견서
Written Opinion		 2002.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0154339-45
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.05.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0154338-00
10 등록결정서
Decision to grant		 2002.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0244652-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

다결정체 기판 위에 형성되는 단층 입상구조의 La0

2 2

삭제
3 3

제 1 항에 있어서, 상기 다결정체 기판은 다결정 Si/SiO2 및 YSZ 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 센서용 박막

4 4

에탄올 및 아세트산을 혼합한 용매에 La, Sr, Ba 및 Mn의 무기염 출발물질을 용해하고,

상기 혼합 용매에 물과 착화제를 가하여 가수분해 및 축중합 반응을 통해 안정한 졸 (sol)을 얻고,

상기 졸을 이용하여 기판 위에 코팅 및 건조하는 공정을 반복하여 500 내지 4000Å 두께의 La0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.