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양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ 양자우물 밴드갭의 조작방법

  • 기술번호 : KST2015120598
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/InGaAsP 양자우물 밴드갭의 조작방법에 관한 것으로서, 유전자 덮개층을 이용하여 InGaAs/InGaAsP 양자우물구조 기판에 국부적으로 다른 밴드갭을 형성하기 위한 양자우물 무질서화 공정에 있어서, 상기 유전체 덮개층으로 SiNX 나 SiO2를 사용하고 InGaAs/InGaAsP 양자우물 상부의 반도체 덮개층으로 동일 두께의 InP이나 InGaAs 혹은 InGaAsP 을 사용하여 양자우물을 무질서화하는 경우, 상기 유전체 덮개층 및 반도체 덮개층을 이용한 유전체-반도체 조합을 양자우물 기판상에 형성하고 소정 온도및 소정 시간의 열처리를 통하여 양자우물구조 기판에 국부적으로 다른 밴드갭을 형성시킴으로써 양자우물 구조의 밴드갭 이동량을 조절할 수 있다.
Int. CL H01L 21/18 (2006.01)
CPC H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1019990044158 (1999.10.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0326773-0000 (2002.02.19)
공개번호/일자 10-2001-0036949 (2001.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20020312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원준 대한민국 서울특별시강북구
2 강광남 대한민국 서울특별시서초구
3 김선호 대한민국 경기도고양시일산구
4 우덕하 대한민국 서울특별시구로구
5 이석 대한민국 서울특별시관악구
6 한일기 대한민국 서울특별시노원구
7 김회종 대한민국 서울특별시노원구
8 이희택 대한민국 서울특별시영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-0128676-55
2 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 1999.10.13 수리 (Accepted) 1-1-1999-5359070-98
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0153389-51
5 의견서
Written Opinion		 2001.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2001-0202388-08
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.08.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0202391-35
7 등록결정서
Decision to grant		 2002.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0045272-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

InGaAs/InGaAsP 양자우물구조 기판을 국부적으로 다른 밴드갭을 갖게 만들기 위한 유전체 덮개층을 통한 양자우물 무질서화 공정에 있어서,

상기 유전체 덮개층으로 SiNx 나 SiO2를 사용하고, InGaAs/InGaAsP 양자우물 상부의 반도체 덮개층으로 동일 두께의 InP, InGaAs 혹은 InGaAsP를 사용하여 양자우물 무질서화 하는 경우, 이들 유전체 및 반도체 덮개층들을 이용한 유전체-반도체 조합을 양자우물 기판상에 만들고 열처리를 통하여 양자우물구조 기판을 국부적으로 다른 밴드갭을 갖게 만드는 것을 특징으로 하는 양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/InGaAsP 양자우물 밴드갭의 조작방법

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 InP기판에 성장된 양자우물구조에 SiNX 나 SiO2 를 사용하여 밴드갭 천이시키는 것을 특징으로 하는 양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/InGaAsP 양자우물 밴드갭의 조작방법

3 4

청구항 1에 있어서, 상기 양자우물 밴드갭 천이를 위해 유전체 덮개층 및 반도체 덮개층을 600℃ ∼ 800℃의 온도로 4분 ∼ 12분간 열처리하는 것을 특징으로 하는 양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/InGaAsP 양자우물 밴드갭의 조작방법

4 5

청구항 1에 있어서, 상기 SiNX 와 SiO2 를 양자우물 기판에 국부적으로 도포하고 이를 이용하여 양자우물 기판에 국부적으로 다른 밴드갭을 형성시키는 것을 특징으로 하는 양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/InGaAsP 양자우물 밴드갭의 조작방법

5 6

청구항 1에 있어서, 상기 양자우물 상부에 반도체 덮개층으로 InP, InGaAs 혹은 InGaAsP 의 화합물 반도체를 사용하고 유전체 덮개층으로 SiNX 와 SiO2 를 사용하는 경우에, 국부적으로 서로 다른 반도체-유전체 조합들을 만들고 이를 이용하여 양자우물 기판에 국부적으로 다른 밴드갭을 형성시키는 것을 특징으로 하는 양자우물 무질서화 기술에서 유전체-반도체 덮개층 조합에 의한 InGaAs/InGaAsP 양자우물 밴드갭의 조작방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.