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다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120645
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적외선 감지층으로 이용되는 다층 구조의 산화바나듐막(V2O5) 제조 방법에 관한 것으로, 다층박막법을 이용하여 V2O5/V/V2O5 의 샌드위치 구조를 증착한 후 저온 열처리를 통한 확산 공정에 의해 박막의 재현성 및 특성 조절이 용이하도록 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 기존의 제조 방식인 스퍼터링법을 이용한 단층의 산화바나듐 박막 제조방법이 스퍼터링 장비가 갖는 재현성의 한계 때문에 박막 특성의 재현성 확보가 어려웠으나, 스퍼터링 장비의 재현성 한계 내에서 제조 가능한 안정상 인 산화바나듐막과 바나듐금속막의 복합구조를 제조한 후 저온에서 열처리하여 확산시킨다.따라서, 본 발명은 재현성 있고 우수한 적외선 흡수능을 갖는 혼합 바나듐산화 박막 제조가 가능하며, 적외선 감지소자의 성능을 향상시킬 수 있다.다층박막법, 산화바나듐막, 바나듐금속막, 반응성 스퍼터링법, 열처리공정
Int. CL H01L 31/09 (2006.01) G01J 1/02 (2006.01)
CPC H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01)
출원번호/일자 1020000023920 (2000.05.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0329241-0000 (2002.03.07)
공개번호/일자 10-2001-0100603 (2001.11.14) 문서열기
공고번호/일자 (20020318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.05.04)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문성욱 대한민국 서울특별시송파구
2 김민철 대한민국 서울특별시성북구
3 오명환 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 대우일렉트로닉스 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2000-0089974-34
2 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 2000.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2000-5131450-92
3 등록결정서
Decision to grant		 2002.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0060115-45
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

반도체기판 상에 실리콘질화막을 형성하는 단계와;

상기 실리콘질화막 상에 제 1산화바나듐막을 적층하는 단계;

상기 제 1산화바나듐막 상에 바나듐금속막을 적층하는 단계;

상기 바나듐금속막 상에 제 2산화바나듐막을 적층하여 다층화하는 단계; 및

상기 결과물 상에 다층 박막의 안정화를 위한 저온 열처리공정을 실시하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법

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청구항 1에 있어서, 상기 제 1 및 제 2산화바나듐막은 반응성 스퍼터링법을 이용하여 증착된 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법

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청구항 1에 있어서, 상기 바나듐금속막은 산소 함량없이 아르곤(Ar)가스 분위기하에서 반응성 스퍼터링법에 의해 증착된 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법

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청구항 1에 있어서, 상기 다층화하는 단계에서 재현성 있는 두 개의 단층박막의 두께와 층수 및 증착 순서를 임의의 선택에 따라 변수로 주어 다층 구조의 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법

5 5

청구항 1에 있어서, 상기 저온 열처리공정은 200 ~ 300℃ 범위내에서 1 ∼ 24시간 동안 유지하여 확산시키는 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 반도체 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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