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산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015120672
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 청색 및 녹색 발광다이오드(LED: Blue/Green Light Emitting Diode) 및 레이저다이오드(LD: laser diode)와 같은 광전자소자의 제작에 핵심 기술인 고품위 산화아연(ZnO) 산화물 반도체 박막 제조 방법에 관한 것이다.본 발명은 최근 차세대 발광다이오드용 물질로 각광 받고 있는 산화아연(ZnO) 산화물 반도체를 기존의 단순한 성장조건 변화에 따른 박막제조 방법이 아닌 특정가스 분위기 하에서 후 열처리(post-growth annealing treatment)를 시행함으로써 전기적, 구조적, 광학적 특성이 우수한 산화아연박막을 제조하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명은, 스퍼터 시스템(sputter system)으로 반에피텍시 박막을 성장시키고 이 박막을 99.9%이상의 고순도 산소분위기 하에서 고온 열처리하여 그레인(grain) 재배열을 유도함으로써 구조적 특성을 향상시켰으며, 산소분위기 열처리에 의한 산소 주입으로 산화아연 박막내의 산소공공(vacancy)을 줄여줌으로써 전기적, 광학적 특성이 우수한 박막을 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 33/14 (2014.01)
CPC H01L 33/005(2013.01) H01L 33/005(2013.01)
출원번호/일자 1020000024465 (2000.05.08)
출원인 한국과학기술연구원, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0403191-0000 (2003.10.14)
공개번호/일자 10-2001-0102794 (2001.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20031023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.05.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 광주광역시 북구
2 성태연 대한민국 광주광역시 북구
3 최원국 대한민국 서울특별시 성북구
4 김경국 대한민국 광주광역시 북구
5 김병국 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2000-0091904-52
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2000.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2000-0188750-69
3 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 2000.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2000-5277615-18
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2001.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2001-5285206-14
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0094258-06
7 의견서
Written Opinion		 2002.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0158457-17
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.05.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0158456-72
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0405851-78
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2003-0010541-64
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2003-0047769-11
12 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.03.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0084608-92
13 의견서
Written Opinion		 2003.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2003-0084609-37
14 등록결정서
Decision to grant		 2003.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0366446-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

산소공공(Oxygen vacancy)을 감소시키기 위해 고순도 산소 분위기 하에서 후열 처리 공정을 이용하여 산화아연 산화물 반도체 박막을 제조하는 방법에 있어서,

산화 알루미늄 기판 상에 알루미늄이 도핑된 산화아연을 증착하여 산화아연 시료를 성장시키는 제 1 단계와;

상기 산화아연 시료를 기설정 온도 내에서 기설정 시간동안 후열 처리하여 산화아연 산화물 반도체 박막을 제조하되, 상기 산화아연 산화물 반도체 박막은 고순도 산소 분위기의 석영 튜브를 구비하는 고온로(high temperature furnace)에서 제조되는 제 2 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제 1 단계는 교류 스퍼터 시스템에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

3 3

삭제
4 4

제 1 항에 있어서,

상기 산화아연 산화물 반도체는 ZnO, MgO, InO, BeO, CaO, SrO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 박막은 반에피택시(semi-epitaxy) 또는 에피택시(epitaxy) 박막인 것을 특징으로 하는 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

상기 제 2 단계 수행 후, 상기 후 열처리된 산화아연 산화물 반도체 박막의 캐리어 농도 및 이동도의 변화를 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 산화아연 산화물 반도체 박막의 캐리어 농도 및 이동도의 변화는 홀 측정기에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

8 8

제 1 항에 있어서,

상기 기설정 온도는 800℃ 내지 1000℃인 것을 특징으로 하는 산화아연 산화물 반도체 박막 제조 방법

9 9

삭제
10 10

삭제
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