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아연산화물 건식식각방법

  • 기술번호 : KST2015120678
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메탄을 포함하는 기체를 플라즈마 상태로 만들어 아연산화물을 반응성 이온식각하는 것을 특징으로 한다. 이 때, 메탄을 사용하는 이유는, 아연성분이 메탄의 CH 라디칼과 결합하여 휘발성이 큰 유기금속 기체의 형태로 제거되도록 함으로써 반응성 이온식각의 효율을 증대시키기 위함이다. 상기 메탄을 포함하는 기체에 수소가 더 포함되는 것이 바람직한데, 이는 수소에 의해 산소가 수산화물(OH) 또는 산소(O2)의 형태로 제거되어 식각률이 더 커지기 때문이며, 또한 수소 비활성화(hydrogen passivation) 효과에 의해 아연산화막의 광학적 특성이 좋아지기 때문이다. 본 발명에 의하면, 매우 높은 식각률을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 수소 비활성화 효과로 인하여 박막의 광학적 특성이 향상되게 된다. 따라서, 광전소자 및 전자소자 개발 등 그 응용범위가 크다. 또한, 이방성 식각 특성도 좋다. 건식식각, 반응성 이온식각, 화합물 반도체, 아연산화물, 수소 비활성화
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/465(2013.01)
출원번호/일자 1020000047356 (2000.08.17)
출원인 광주과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0014202 (2002.02.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지면 대한민국 광주광역시북구
2 김경국 대한민국 광주광역시북구
3 최원국 대한민국 서울특별시성북구
4 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2000-0171620-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0215970-46
4 의견서
Written Opinion		 2002.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0263399-08
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.08.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0263402-58
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0062586-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

반응기 내의 서셉터 상에 아연산화물이 증착된 기판을 안착시키고, 상기 반응기 내에 메탄을 포함하는 기체를 공급하여 플라즈마를 형성함으로써, 상기 아연산화물을 상기 플라즈마로 건식식각하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법

2 2

제1 항에 있어서, 상기 메탄을 포함하는 기체가 수소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법

3 3

제1 항에 있어서, 상기 메탄을 포함하는 기체가 아르곤을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법

4 4

제1 항에 있어서, 상기 건식식각은 상기 반응기의 압력이 1 mTorr ~ 1 Torr 인 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법

5 5

제1 항에 있어서, 상기 플라즈마가 유도결합 방식, 용량성 결합 방식, 또는 전자공명 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법

6 6

제1 항에 있어서, 상기 반응기 둘레에 ICP 코일 안테나를 설치하고, 상기 ICP 코일 안테나에는 10 ~ 20 MHz의 주파수를 갖는 ICP 전력을 1~3000W로 인가하고, 상기 서셉터에는 10 ~ 20MHz의 주파수를 갖는 RF 전력을 1~500W로 인가함으로써, 상기 플라즈마를 유도결합 방식과 용량성 결합 방식이 혼합된 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.