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다층박막법을 이용한 적외선감지층 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120690
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다층박막법을 이용한 적외선감지층 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 목적은 일반적인 스퍼터링 장비를 이용하며 안정적으로 제조가 가능한 금속박막과 금속 산화물 박막을 서로 번갈아 증착하여 다층화함으로써 적외선 감지층의 제조 공정시 공정상의 재현성을 확보할 수 있으며, 각 증착되는 박막의 두께와 증착되는 층수의 변화를 통해 다양한 박막의 특성 조절이 가능토록 한다.본 발명에 따르면, PECVD법으로 실리콘질화막을 형성한 후, 안정적으로 제조가 가능한 금속박막과 금속 산화물 박막을 80 ∼ 100Å 두께와 다양한 층수로 번갈아 증착하여 다층화한 다음, 열처리 공정을 통해 완전한 산소의 확산을 유도하여 박막의 안정화를 구현할 수 있는 적외선감지층의 제조방법이 제시된다.따라서, 본 발명은 종래의 방법보다 바나듐 - 산소계에서 일반적인 스퍼터링법에 의해 쉽고 안정적으로 제조가능한 금속박막(V)과 금속 산화물(V2O5) 박막을 80 ∼ 100Å 두께로 번갈아 증착하여 다층화한 후 열처리 공정을 행함으로써 완전한 산소의 확산을 유도하여 안정한 재현성을 확보할 수 있으며, 증착되는 층수를 변화시킴으로 다양한 특성의 박막을 얻을 수 있다.다층박막법, 산화바나듐 박막, 바나듐금속 박막, 반응성 스퍼터링법, 열처리
Int. CL H01L 31/101 (2006.01) G01J 1/02 (2006.01)
CPC H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01)
출원번호/일자 1020000043855 (2000.07.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0368792-0000 (2003.01.08)
공개번호/일자 10-2002-0010060 (2002.02.02) 문서열기
공고번호/일자 (20030124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.07.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철우 대한민국 서울특별시강동구
2 문성욱 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2000-0159147-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-5066841-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0110834-61
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2002-0168818-86
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.06.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0206831-51
7 의견서
Written Opinion		 2002.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-0206829-69
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0455577-78
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체기판 위에 실리콘질화막을 형성하는 단계와;

상기 실리콘질화막 위에 제 1층 산화바나듐 박막(V2O5)을 적층하는 단계;

상기 제 1층 산화바나듐 박막 위에 제 2층 바나듐금속(V) 박막을 적층하는 단계;

상기 제 2층 바나듐금속 박막 위에 제 3층 산화바나듐 박막을 적층하는 단계;

상기의 단계들을 반복하여 최종적으로 제 n+1층의 다층 박막을 형성하는 단계; 및

상기 결과물에 다층 박막의 안정화를 위한 열처리 공정을 실시하는 단계를 포함하여 이루어지는 다층박막법을 이용한 적외선감지층의 제조방법

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 제 1층, 제 3층, …, 제 n+1층 산화바나듐 박막은 산소분위기하의 반응성 스퍼터링법을 이용하여 산소(O2)/아르콘(Ar)의 함량 비율이 50 : 100％ 조건에서 증착된 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 적외선감지층의 제조방법

3 3

청구항 1에 있어서, 상기 제 2층, 제 4층, …, 제 n층 금속바나듐 박막은 스퍼터링법을 이용하여 Ar 100% 조건에서 증착된 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 적외선감지층의 제조방법

4 4

삭제
5 5

청구항 1에 있어서, 상기 다층박막을 형성하기 위해 번갈아 증착되는 각각의 박막들의 두께는 80 ∼ 100Å 두께로 다층화되어 증착된 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 적외선감지층의 제조방법

6 6

청구항 1에 있어서, 상기 다층막의 총 층수는 7 ~ 21층으로 다층박막을 구성하는 각각의 산화바나듐 박막과 금속바나듐 박막의 두께는 80 ∼ 100Å으로 변화시켜 특성을 조절하는 것을 특징으로 하는 다층박막법을 이용한 적외선감지층의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.