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이온주입에 의한 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120703
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이온주입으로 에지 종단처리(edge termination)를 함으로써 항복전압을 증가시키는 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 실리콘 기판 상에 금속막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 금속막 패턴을 이온주입 마스크로 하여 상기 실리콘 기판 상에 이온주입을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 적절한 이온선량과 이온질량의 범위에서 이온을 주입하여 에지 종단처리를 함으로써 항복전압을 증가시킬 수 있다. 특히, 붕소이온을 주입할 경우에 항복전압의 증가현상이 두드러졌으며 그 적절한 이온선량은 1×1012 ~1×1014/cm2 이었다. 본 발명에 의하면, 일반적으로 사용되고 있는 고가의 금속-SiC 쇼트키 다이오드와 대등한 항복전압을 가지면서도 상대적으로 저가인 금속-실리콘 쇼트키 다이오드를 제조할 수 있다. 그리고, 이온주입이 자기 정렬적으로 되기 때문에 그 제조공정이 매우 간단하다. 에지 종단처리, 쇼트키 다이오드, SiC, 붕소, 이온주입
Int. CL H01L 29/872 (2006.01)
CPC H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01) H01L 29/66143(2013.01)
출원번호/일자 1020000046213 (2000.08.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0375595-0000 (2003.02.27)
공개번호/일자 10-2002-0012942 (2002.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20030315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송종한 대한민국 서울특별시서초구
2 최원국 대한민국 서울특별시양천구
3 윤영수 대한민국 경기도과천시
4 이석 대한민국 서울특별시관악구
5 임성일 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2000-0167386-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0092358-16
4 의견서
Written Opinion		 2002.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-0156220-68
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.05.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0156221-14
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0424228-33
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘과 금속이 접합된 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법에 있어서,

실리콘 기판 상에 금속막 패턴을 형성하는 단계와,

상기 금속막 패턴을 이온주입 마스크로 삼아 상기 금속막 패턴 둘레의 상기 실리콘 기판에 이온주입을 행하는 단계를 구비하되,

후속 열처리를 생략하여 손상이 포함된 이온주입층이 저항층으로 작용하게 하여 항복전압을 증가시킨 것을 특징으로 하는 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법

2 2

제1 항에 있어서, 상기 이온주입이 붕소이온을 사용하여 행해지는 것을 특징으로 하는 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법

3 3

제2 항에 있어서, 상기 이온주입이 1×1012 ~1×1014/cm2 의 이온선량으로 이온을 주입하도록 행해지는 것을 특징으로 하는 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법

4 4

제3 항에 있어서, 상기 실리콘 기판이 N형 도전성을 갖는 것을 특징으로 하는 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법

5 5

제4 항에 있어서, 상기 금속막 패턴이 금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고전압 쇼트키 다이오드 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.