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고감도 초소형 캔틸레버 센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120706
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기능성 박막을 이용한 고감도 초소형 캔틸레버 센서 제조 방법에 관한 것으로, 압전막을 구동막으로 형성한 후, 구동 전계의 인가로 인해 구동막으로부터 발생하는 전기적인 신호를 측정하도록 하여 시스템의 크기를 대폭 줄이고, 캔틸레버 하부에 구동층과 센싱층을 형성하여 구동과 센싱이 동시에 이루어지도록 함으로써 응답 속도를 증진시키고, 구동부위가 있는 면의 반대 면에 생체 물질을 부착하도록 구성함으로써 넓은 센싱 면적이 이루어지도록 하여 우수한 센싱 특성을 제공하고 있다. 또한, 본 발명의 센서를 용도에 맞게 적당한 감지막을 적용하여, 고감도 습도 센서, 머큐리 감지 센서, 고감도 가스 센서, 그리고 수피코 그램부터 수 마이크로 그램의 생체물질을 감지하는 바이오 칩으로도 응용이 가능하다.초소형 센서, 기능성 박막, 캔틸레버, 멤브레인, 압전막, 압저항막
Int. CL B81B 7/02 (2006.01)
CPC B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01)
출원번호/일자 1020010047463 (2001.08.07)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0450261-0000 (2004.09.15)
공개번호/일자 10-2003-0013129 (2003.02.14) 문서열기
공고번호/일자 (20040930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.08.07)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태송 대한민국 서울특별시마포구
2 김형준 대한민국 서울특별시성북구
3 김용범 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2001-0197340-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0035539-55
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0339604-60
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0404512-25
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0454628-28
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0504266-11
9 의견서
Written Opinion		 2004.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0032195-19
10 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0032197-00
11 등록결정서
Decision to grant		 2004.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0332809-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

균일한 깊이의 홈이 형성된 하부기판;

구동막과 상기 구동막의 상하부면에 형성된 상하부전극을 포함하는 압전셀이 형성되고, 상기 압전셀이 하부기판의 홈과 대응하는 영역에 위치하도록 합착된 상부기판; 및

상기 압전셀의 반대면에 형성된 감지막을 포함하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서

2 2

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3 3

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4 4

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5 5

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6 6

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7 7

제 1 항에 있어서,

상기 구동막은 PZT 계열이나 혹은 ZnO와 같은 압전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서

8 8

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9 9

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10 10

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11 11

압전셀을 포함하는 상부 기판을 준비하는 단계;

균일한 깊이의 캐비티가 형성된 하부 기판을 준비하는 단계; 및

상기 압전셀과 캐비티가 서로 대응하도록 상부 기판 및 하부 기판을 합착하는 단계를 포함하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법

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15 15

제 11 항에 있어서,

상기 하부 기판은 실리콘기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법

16 16

제 11 항에 있어서,

상기 하부 기판은 유리 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법

17 17

제1항에 있어서,

상기 압전셀은 SOI(silicon on insulator) 상에 형성된 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서

18 18

제 1 항에 있어서,

상기 압전셀은 n+실리콘층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서

19 19

제 11 항에 있어서,

상부 기판을 준비하는 단계는,

SOI(silicon on insulator)기판을 준비하는 단계;

상기 SOI기판 상에 하부전극을 형성하는 단계;

상기 하부전극 상에 구동막을 형성하는 단계; 및

상기 구동막 상에 상부전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법

20 20

제 19 항에 있어서,

상부 기판 및 하부 기판을 합착한 이후에, 상기 상부기판의 절연층이 노출되도록 실리콘층을 제거하는 단계와, 상기 실리콘층 위에 Au막을 형성하는 단계와, 상기 Au막 위에 감지막을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법

21 21

제 11 항에 있어서,

상부 기판을 준비하는 단계는,

p형 반도체층에 n+ 실리콘층이 형성된 반도체기판을 준비하는 단계;

상기 n+ 실리콘층 상에 하부전극을 형성하는 단계;

상기 하부전극 상에 구동막을 형성하는 단계; 및

상기 구동막 상에 상부전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법

22 22

제 21 항에 있어서,

상부 기판 및 하부 기판을 합착한 이후에, 상기 상부기판의 n+ 실리콘층을 노출되도록 p형 반도체층을 제거하는 단계와, 상기 n+ 실리콘층 위에 Au막을 형성하는 단계와, 상기 Au막 위에 감지막을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법

23 23

제 19 항 및 제 21 항에 있어서,

상기 SOI기판에 전극과의 접착성을 향상을 위한 보조층을 추가로 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법

24 24

제 23 항에 있어서,

상기 보조층은 열산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조방법

25 25

제 23 항에 있어서,

상기 보조층은 저응력 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조방법

26 26

제 19 항 및 제 21 항에 있어서,

상기 구동막은 PZT 계열이나 혹은 ZnO와 같은 압전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조방법

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