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균일한 깊이의 홈이 형성된 하부기판; 압전막과 상기 압전막의 상, 하부면에 형성된 전극으로 구성된 두개의 압전셀이 형성되되, 하나는 기판의 상부에 형성되고, 다른 하나는 기판의 하부에 형성어, 상기 압전셀이 하부기판의 홈과 대응하는 영역에 위치하도록 합착된 상부기판; 및 상부기판의 상부에 형성된 압전셀 상부에 형성된 감지막을 포함하여 구성된 고감도 초소형 캔틸레버 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 두 개의 압전셀 중 하나는 구동부이고, 다른 하나는 센싱부인 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 압전막은 PZT 계열이나 혹은 ZnO와 같은 압전물질로 형성된 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서
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식각정지막이 개재된 반도체기판 상에 제1압전셀을 형성하여, 상부기판을 준비하는 단계; 균일한 깊이의 캐비티가 형성된 하부기판을 준비하는 단계; 상기 제1압전셀과 캐비티가 서로 대응하도록 위치시킨 후, 상부기판과 하부기판을 합착하는 단계; 및 상기 제1압전셀의 반대면에 제2압전셀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 상부 기판의 식각 정지막으로 실리콘 산화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 상부 기판의 식각 정지막으로 n형 도핑이 많이 이루어진 n+ 실리콘층을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 상부 기판의 식각 정지막으로 저응력 실리콘 질화막을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 캐비티가 형성된 하부 기판은 실리콘기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 캐비티가 형성된 하부 기판은 유리 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 14 항에 있어서, 상부 기판 및 하부 기판을 합착한 이후에, 상기 상부 기판의 식각정지막이 노출되도록 반도체층을 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 20 항에 있어서, 상기 제2압전셀은 식각정지막 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 21 항에 있어서, 제2압전셀을 형성하는 단계는, 식각정지막 상부에 하부전극을 형성하는 단계; 사기 하부전극 상부에 압전막을 형성하는 단계; 및 상기 압전막 상부에 상부전극을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 22 항에 있어서, 상기 압전막은 PZT계열 이나 혹은 ZnO와 같은 압전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 고감도 초소형 캔틸레버 센서의 제조 방법
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SOI(silicon on insulator)기판으로 이루어진 제1기판을 준비하는 단계; 상기 제1기판 상에 제1하부전극을 형성하는 단계; 상기 제1하부전극 상에 제1압전막을 형성하는 단계; 상기 제2압전막 상에 제1상부전극을 형성함으로써, 제1상부전극과 제1압전막 및 제1상부전극으로 구성된 제1압전셀을 형성하는 단계; 균일한 깊이의 홈이 형성된 제2기판을 준비하는 단계; 상기 제1압전셀과 홈이 서로 대향하도록 제1 및 제2기판을 합착하는 단계; 상기 제1기판의 실리콘층을 제거하여 절연층을 노출시키는 단계; 상기 절연층 상부에 제2하부전극을 형성하는 단계; 상기 제2하부전극 상에 제2압전막을 형성하는 단계; 및 상기 제2압전막 상에 제2상부전극을 형성함으로써, 제2상부전극과 제2압전막 및 제2상부전극으로 구성된 제2압전셀을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 초소형 고감도 캔틸레버 센서의 제조 방법
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제 24 항에 있어서, 상기 제2압전셀 상부에 Au막을 형성하는 단계; 및 상기 Au막 위에 생체 프로브를 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 초소형 고감도 캔틸레버 센서의 제조 방법
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