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(a) 진공조 내의 시료대 위에 입체 고분자 재료를 위치시키는 단계, (b) 진공조 내의 상기 재료 표면으로부터 일정거리 떨어진 곳에 그리드를 위치시키는 단계, (c) 진공조 내의 상기 재료 표면에 저항도를 낮추는 흑연층 형성을 위하여 기체 플라즈마 이온을 형성하는 단계, (d) 상기 그리드에 음전압 펄스를 가하여 기체 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는 그리드를 이용한 입체고분자의 플라즈마 이온주입에 의한 입체 고분자 재료의 표면처리 방법
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제 1 항에 있어서, 그리드에 가하는 고전압 펄스가 펄스 전압 -1 kV에서 -100 kV 사이, 펄스-오프시 전압 0 V에서 -1 kV사이, 펄스 폭 1 μsec에서 50 μsec 사이, 펄스 주파수 10 Hz에서 10 kHz 사이의 값들을 사용하는 고분자 표면처리 방법
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제 1 항에 있어서, 입체 고분자 소재 표면의 전기전도도 향상에 아르곤, 네온, 헬륨, 크립톤, 크세논, 질소, 산소, 수소, 일산화탄소, 이산화탄소, 암모니아, 메탄 또는 CF4 가스를 사용하는 고분자 표면처리 방법
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