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양극과 음극 사이에서 금속 플라즈마 이온이 발생되도록 하는 플라즈마 발생부와; 상기 금속 플라즈마 이온 발생시 생성된 중성 입자를 제거하고 상기 금속 플라즈마 이온을 유도하는 입자제거 필터부와; 상기 입자제거 필터부에서 유도된 금속 플라즈마 이온이 시료지지대의 기판에 주입되도록 하는 이온주입부와; 상기 금속 플라즈마 이온이 진공상태에서 발생하여 상기 기판에 주입되도록 외관을 형성하는 진공 챔버(Chamber)를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착장치
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생부는 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 트리거(Trigger) 전극으로 고전압을 인가하여 상기 양극과 음극 사이의 음극물질이 증발되도록 하는 트리거 전원부와; 상기 트리거에 고전압이 인가됨에 따라 상기 양극에 펄스형의 전압을 인가하여 아크(Arc)를 발생시키는 펄스 전원부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착장치
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제 1 항에 있어서, 상기 입자제거 필터부는 상기 금속 플라즈마 이온을 상기 시료지지대로 유도하는 코일부와; 상기 코일부에 펄스형의 전류를 인가함으로써 상기 코일부 내에 자장을 형성하는 코일 전원부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착장치
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 코일 전원부에서 상기 코일부로 인가되는 전류는 상기 펄스 전원부의 전압 인가 시 발생한 아크로 인해 발생되도록 구성된 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착장치
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제 1 항에 있어서, 상기 이온주입부는 상기 금속 플라즈마 이온이 상기 기판으로 주입되도록 상기 기판으로 고전압을 인가하는 이온주입 전원부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착장치
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제 1 항에 있어서, 상기 이온주입부의 시료지지대에 놓인 기판은 전자기파 차폐를 위해 금속박막을 형성하고자 하는 고분자체의 기판인 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착장치
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양극과 음극 사이에서 금속 플라즈마 이온이 발생하는 제1 단계와; 상기 발생한 금속 플라즈마 이온이 금속박막을 형성하고자 하는 기판으로 유도되는 제2 단계와; 상기 기판으로 고전압을 인가하는 제3 단계와; 상기 고전압이 인가된 기판으로 상기 유도된 금속 플라즈마 이온이 주입되어 금속박막이 형성되는 제4 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제1 단계는 상기 양극과 음극 사이의 음극물질이 증발되도록 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 트리거 전극으로 고전압을 인가하는 트리거 전압인가단계와; 상기 증발된 물질로 채워진 양극과 음극 사이에서 아크를 발생시켜 금속 플라즈마 이온이 발생하도록 상기 양극으로 전압을 인가하는 양극 전압인가단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 8 항에 있어서, 상기 트리거 전압인가단계에서 상기 트리거 전극으로 수만~수백만 볼트(Volt)의 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 8 항에 있어서, 상기 트리거 전압인가단계에서 상기 트리거 전극으로 순간적으로 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 8 항에 있어서, 상기 양극 전압인가단계에서 상기 양극으로 수백 볼트의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 8 항에 있어서, 상기 양극 전압인가단계에서 상기 양극으로 펄스형 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제2 단계는 상기 제1 단계에서 금속 플라즈마 이온 발생 시 상기 코일부 내에 자장이 형성되는 자장형성단계와; 상기 자장이 형성된 코일부를 통해 상기 금속 플라즈마 이온이 전자기파 차폐를 위한 금속박막을 형성하기 위해 시료지지대에 놓인 상기 기판으로 유도되는 이온유도단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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14
제 7 항에 있어서, 상기 제3 단계에서 상기 기판으로 수만 볼트의 음전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제3 단계에서 상기 기판으로 펄스형의 음전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 15 항에 있어서, 상기 제3 단계에서 펄스형 음전압의 폭과 주기에 따라 상기 기판에 주입되는 금속 플라즈마 이온의 양이 조절되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 제3 단계에서 상기 기판으로 인가되는 전압은 상기 제1 단계에서 상기 트리거 전극 및 양극으로 인가되는 전압과 동기화되어 인가되는 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제4 단계는 상기 유도된 금속 플라즈마 이온이 상기 기판에 주입되어 혼합층이 형성되는 혼합층 형성단계와; 상기 기판에 혼합층이 형성된 후 금속층만이 증착되는 금속층 형성단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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양극과 음극 사이에서 금속 플라즈마 이온을 발생시키는 제1 단계와; 상기 발생한 금속 플라즈마 이온이 유도되도록 코일부 내에 자장을 형성하는 제2 단계와; 상기 자장이 형성된 코일부를 통해 상기 금속 플라즈마 이온내의 전자가 이동되는 제3 단계와; 상기 전자가 이동됨에 따라 상기 금속 플라즈마 이온이 상기 전자와의 쿨롱 힘에 의해 상기 코일부를 통해 유도되는 제4 단계와; 상기 코일부를 통해 유도된 금속 플라즈마 이온이 금속박막을 형성하고자 하는 기판으로 주입되는 제5 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 전자기파 차폐용 금속박막 증착방법
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