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ＨＣＦＣ-２２대체용 냉매 조성물

  • 기술번호 : KST2015120734
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 지구의 오존층을 파괴하는 것으로 알려진 클로로디플루오로메탄 (CHClF2, 이하 HCFC-22)을 대체하기 위한 냉매 조성물에 관한 것으로, 지구의 오존층을 파괴하는 물질이 함유되지 않은 대체냉매를 제공하는 것이 목적이다.본 발명의 냉매 조성물은디플루오로메탄(CH2F2, 이하 HFC-32)과;1,1,1-트리플루오로에탄(CH3CF3, 이하 HFC-143a)과;1,1,1,2,3,3,3-헵타플루오로프로판(CF3CHFCF3, 이하 HFC-227ea)과;이소부탄(CH(CH3)2CH3, 이하 R-600a), 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로프로판 (CHF2CHFCF3, 이하 HFC-236ea) 및 부탄(C4H10, 이하 R-600)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 화합물로 이루어지거나,디플루오로메탄(CH2F2, 이하 HFC-32)과;1,1,1,2-테트라플루오로에탄(CH2FCF3, 이하 HFC-134a)과;1,1-디플루오로에탄(CH3CHF2, 이하 HFC-152a)과;1,1,1,2,3,3,3-헵타플루오로프로판(CF3CHFCF3, 이하 HFC-227ea), 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로프로판(CHF2CHFCF3, 이하 HFC-236ea) 및 부탄(C4H10, 이하 R-600)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 화합물로 이루어진다.오존층 파괴, HCFC-22, 대체 냉매, 디플루오로메탄, 1,1-디플루오로에탄, 1,1,1,2-테트라플루오로에탄, 1,1,1-트리플루오로에탄,1,1,1,2,3,3,3-헵타플루오로프로판, 이소부탄, 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로프로판, 부탄
Int. CL C09K 5/04 (2006.01) C07C 19/08 (2006.01)
CPC C07C 19/08(2013.01) C07C 19/08(2013.01)
출원번호/일자 1020010004623 (2001.01.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0064027 (2002.08.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.01.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병권 대한민국 서울특별시중랑구
2 임종성 대한민국 서울특별시성동구
3 김훈식 대한민국 서울특별시동대문구
4 김창년 대한민국 서울특별시노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강연승 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(역삼동) 성지하이츠*차빌딩 ****호(아이피포스트특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2001-0021122-25
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2002-0029173-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0050858-05
6 의견서
Written Opinion		 2003.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2003-0128797-12
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.10.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0396460-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

디플루오로메탄(CH2F2, 이하 HFC-32)과;

1,1,1-트리플루오로에탄(CH3CF3, 이하 HFC-143a)과;

1,1,1,2,3,3,3-헵타플루오로프로판(CF3CHFCF3, 이하 HFC-227ea)과;

이소부탄(CH(CH3)2CH3, 이하 R-600a), 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로프로판(CHF2CHFCF3, 이하 HFC-236ea) 및 부탄(C4H10, 이하 R-600)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 화합물로 이루어지는 냉매 조성물

2 2

디플루오로메탄(CH2F2, 이하 HFC-32)과;

1,1,1,2-테트라플루오로에탄(CH2FCF3, 이하 HFC-134a)과;

1,1-디플루오로에탄(CH3CHF2, 이하 HFC-152a)과;

1,1,1,2,3,3,3-헵타플루오로프로판(CF3CHFCF3, 이하 HFC-227ea), 1,1,1,2,3,3-헥사플루오로프로판(CHF2CHFCF3, 이하 HFC-236ea) 및 부탄(C4H10, 이하 R-600)으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나의 화합물로 이루어지는 냉매 조성물

3 3

제1항에 있어서, HFC-32, HFC-143a, HFC-227ea 및 R-600a의 조성이 각각 40∼55중량%, 20∼40중량%, 10∼20중량%, 5∼15중량%인 것을 특징으로 하는 냉매 조성물

4 4

제1항에 있어서, HFC-32, HFC-143a, HFC-227ea 및 HFC-236ea의 조성이 각각 40∼70중량%, 10∼40중량%, 10∼20중량%, 5∼15중량%인 것을 특징으로 하는 냉매 조성물

5 5

제1항에 있어서, HFC-32, HFC-143a, HFC-227ea 및 R-600의 조성이 각각 50∼70중량%, 10∼30중량%, 10∼20중량%, 5∼12중량%인 것을 특징으로 하는 냉매 조성물

6 6

제2항에 있어서, HFC-32, HFC-134a, HFC-152a 및 HFC-227ea의 조성이 각각 40∼70중량%, 10∼40중량%, 10∼40중량%, 10∼30중량%인 것을 특징으로 하는 냉매 조성물

7 7

제2항에 있어서, HFC-32, HFC-134a, HFC-152a 및 HFC-236ea의 조성이 각각 40∼70중량%, 10∼50중량%, 10∼30중량%, 10∼20중량%인 것을 특징으로 하는 냉매 조성물

8 8

제2항에 있어서, HFC-32, HFC-134a, HFC-152a 및 R-600의 조성이 각각 40∼70중량%, 10∼40중량%, 10∼40중량%, 5-12중량%인 것을 특징으로 하는 냉매 조성물

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.