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반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한전광 파장변환기의 구현 방법

  • 기술번호 : KST2015120740
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한 전광 파장변환기의 구현방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기존의 간섭계 방식을 대신에 수평 결합 방식을 이용하여 파장변환기를 구현토록 하는 기술에 관한 것이다.본 발명에 의하면 소자의 활성층이 InGaAsP의 다중 양자 우물 구조로 이루어지고 그 상부에 제 1도파로와 제 2도파로를 구비하는 파장변환기의 구현 방법에 있어서, 상기 제 1 및 제 2도파로 중에 적어도 어느 한 쪽의 도파로 양 끝면을 각각 식각한 후 무반사 코팅한 다음 클리빙을 통하여 분리함으로서 반사면과 무반사면을 갖는 파장변환 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한 전광 파장변환기의 구현방법이 제공된다.따라서, 본 발명의 파장변환기에 따르면 기존의 마흐젠더 간섭계의 구조를 필요치 않으므로 상당히 큰 입력전력의 범위를 갖게 된다. 이는 파장가변 레이저 다이오드(LD) 등의 기존 반도체 레이저의 특징을 살릴 수 있는 장점이 있다. 또한, 광원이 따로 필요치 않으므로 소자의 집적화가 용이하며, 파장 가변성과 제작의 용이성을 제공할 수 있다.반도체 레이저, 반도체 광증폭기, 파장변환기, 수평결합, 무반사코팅
Int. CL G02B 6/293 (2006.01)
CPC H01S 5/509(2013.01) H01S 5/509(2013.01) H01S 5/509(2013.01)
출원번호/일자 1020010001650 (2001.01.11)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0368790-0000 (2003.01.08)
공개번호/일자 10-2002-0060523 (2002.07.18) 문서열기
공고번호/일자 (20030124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.01.11)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김대신 대한민국 서울특별시성북구
2 이석 대한민국 서울특별시관악구
3 강병권 대한민국 경기도수원시팔달구
4 박윤호 대한민국 경기도의정부시
5 우덕하 대한민국 서울특별시구로구
6 김재헌 대한민국 서울특별시성북구
7 김선호 대한민국 경기도고양시일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2001-0007414-23
2 신규성(출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Certificate of Novelty(Special Provisions for Application)		 2001.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2001-5011171-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-5066839-14
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.11.12 수리 (Accepted) 9-1-2002-0026404-55
7 등록결정서
Decision to grant		 2002.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0438251-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

소자의 활성층이 InGaAsP의 다중 양자 우물 구조로 이루어지고, 그 상부에 제 1도파로와 제 2도파로를 구비하는 파장변환기의 구현 방법에 있어서,

상기 제 1 및 제 2도파로 중에 적어도 어느 한 쪽의 도파로 양 끝면을 각각 식각한 후 무반사 코팅한 다음 클리빙을 통하여 분리함으로서 반사면과 무반사면을 갖는 파장변환 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한 전광 파장변환기의 구현방법

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 제 1도파로가 반도체-광증폭기로 구성되는 경우 제 2도파로는 파브리-페롯형 레이저 다이오드로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한 전광 파장변환기의 구현방법

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청구항 2에 있어서, 상기 제 1도파로의 반도체-광증폭기 대신에 분포궤환 레이저(DFB)나 DBR 레이저를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저와 반도체-광증폭기의 수평 결합을 이용한 전광 파장변환기의 구현방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.