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키랄 디포스핀 화합물 및 이를 이용한 비대칭 반응

  • 기술번호 : KST2015120786
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 새로운 키랄 디포스핀 화합물 및 이를 이용한 키랄 화합물의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 하기 화학식 1로 표시되는 키랄 디포스핀 화합물은 전이금속과 금속 착물을 형성함으로 광학선택성 및 전환율이 우수한 키랄 금속촉매로 작용하며 비대칭 반응에 적용되어 고순도의 광학활성 화합물을 제조할 수 있다. 상기 식에서, X, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11 및 R12 는 명세서 내에서 정의한 바와 같다. 키랄 디포스핀 화합물, 광학선택성
Int. CL C01G 23/00 (2006.01) C07F 9/645 (2006.01)
CPC C07F 9/6506(2013.01) C07F 9/6506(2013.01) C07F 9/6506(2013.01)
출원번호/일자 1020010011252 (2001.03.05)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0425526-0000 (2004.03.19)
공개번호/일자 10-2002-0071245 (2002.09.12) 문서열기
공고번호/일자 (20040330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.03.05)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상기 대한민국 서울특별시 동대문구
2 이재균 대한민국 서울특별시노원구
3 장용건 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2001-0047902-29
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.05.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0025587-57
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0296612-83
6 의견서
Written Opinion		 2003.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2003-0342725-11
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.09.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0342724-65
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0506528-61
9 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2004.01.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2004-0000570-28
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0100926-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

하기 화학식 1 로 표시되는 것을 특징으로 하는 키랄 디포스핀 화합물

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은

X는 C=O이며

R1 과 R2, R3 과 R4, R5 과 R6, R7 과 R8, R9 과 R10 그리고 R11 과 R12 등 각 쌍들이 서로 동일하여 C2-대칭 구조를 가지며,

R1, R2 는 수소, C1-C4 의 1차 알킬기, 2차 알킬기, 3차 알킬기, 벤질기 또는 페닐기 이고

R3, R4 는 수소이며 서로 트랜스 위치이고,

R5, R6 , R7, R8 은 수소, C1-C4 의 1차 알킬기, 2차 알킬기, 3차 알킬기, 벤질기 또는 페닐기 이고,

R9, R10, R11, R12 는 페닐기 또는 치환된 페닐기이고, 이때 치환체는 C1-C6의 알킬기 또는 C1-C6의 알콕시기이다

3 3

제 1 항에 있어서, 키랄 디포스핀 화합물은 하기 화학식 1a 또는 1b로 표시되는 것을 특징으로 하는 키랄 디포스핀 화합물

4 4

제 1 항에 있어서, 키랄 디포스핀 화합물은 하기 화학식 2a 또는 2b로 표시되는 것을 특징으로 하는 키랄 디포스핀 화합물

5 5

제 1 항에 있어서, 키랄 디포스핀 화합물은 하기 2c, 2d, 2e, 2f, 2g 또는 2h 로 표시되는 것을 특징으로 하는 키랄 디포스핀 화합물

6 6

삭제
7 7

삭제
8 8

삭제
9 9

삭제
10 10

화학식 (7)의 화합물을 유기용매하에 유기 포스핀계 금속염(8)과 반응시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 제 1 항의 키랄 디포스핀 화합물의 제조방법

11 11

제 10 항에 있어서, R은 메틸기 또는 벤질기이고, Z는 염소, 브롬, 요오드, 메탄술포닐옥시, 벤젠술포닐옥시, 톨루엔술포닐옥시 또는 니트로벤젠술포닐옥시기이고, M은 리튬, 소듐 또는 포타슘인 것을 특징으로 하는 키랄 디포스핀 화합물의 제조방법

12 12

제 10 항에 있어서, 유기용매는 테트라하이드로퓨란,디에틸에테르, 벤젠 또는 톨루엔인 것을 특징으로 하는 키랄 디포스핀 화합물의 제조방법

13 13

제 1 항의 키랄 디포스핀 화합물 및 전이금속이 배위되어 있는 것을 특징으로 하는 키랄 금속촉매

14 14

제 13 항에 있어서, 전이금속은 Rh, Ru, Pt, Ni 또는 Pd인 것을 특징으로 하는 키랄 금속촉매

15 15

제 13 항의 키랄 금속촉매를 다양한 비대칭 반응에 적용시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 키랄 화합물의 제조방법

16 16

제 15 항에 있어서, 비대칭 반응은 수소화 반응, 카르보닐화 반응 또는 알킬화 반응인 것을 특징으로 하는 키랄 화합물의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.