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강자성층(Py)/절연층/강자성층(Co) 구조를 갖고, 상기 절연층이 산화탄탈륨으로 구성된 것을 특징으로 하는 터널자기저항(TMR) 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 산화탄탈륨이 Ta2O5 또는 TaOx인 것을 특징으로 하는 터널자기저항 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 강자성층이 고정층 또는 자유층이나, 실리콘, IrMn, FeMn, Ta, Pt, Cu 및 CoFe으로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 적층물질로 이루어진 층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 터널자기저항소자
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강자성층(Py) 상부에 탄탈륨을 물리적 증착법으로 성막하고, 산소플라즈마 산화법으로 기판을 음극화하고, 산소 및 아르곤 가스를 도입하여 탄탈륨 박막의 상부를 균일하게 산화시켜 산화탄탈륨막을 생성시키고, 강자성층(Co)을 증착시키는 것으로 이루어지는 터널자기저항 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 산화탄탈륨막이 Ta2O5 또는 TaOx으로 이루어진 것임을 특징으로 하는 터널자기저항 소자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 최초 금속 탄탈륨 박막의 두께를 10∼12Å 이내로 성막하는 것을 특징으로 하는 터널자기저항 소자의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 플라즈마 산화 시간을 1000초 이내로 수행하는 것을 특징으로 하는 터널자기저항 소자의 제조방법
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