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청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120830
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 Al의 첨가에 의해 합금을 통하지 않고 단순한 열처리를 통해 ZnO 박막형광체를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 박막형광체 제조방법은 도판트가 첨가된 아연산화물 박막이 증착된 기판을 열처리 반응기에 장입하여 가스 분위기에서 급속 열처리 함을 특징으로 한다.본 발명에 의하면, 아연 산화물 반도체를 수소 분위기에서 급속 열처리하여 새로운 발광 중심을 가지는 박막형광체를 제조함으로써 이 박막형광체를 종래 합금형태로 존재하던 ZnO를 이용한 청색 발광체를 대신할 수 있는 고효율의 청색 발광 박막이나, 나아가 FED나 PDP같은 평판 디스플레이 소자에 새로운 청색 발광 물질에 사용할 수 있다.RF 마그네트론 스퍼터링, 알루미늄도핑 아연산화물, 수소분위기, 급속열처리
Int. CL C09K 11/54 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010058189 (2001.09.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0025354 (2003.03.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.09.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원국 대한민국 서울특별시양천구
2 정형진 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2001-0241200-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2002.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-5066835-21
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.06.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.07.22 수리 (Accepted) 9-1-2003-0031293-25
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0432243-96
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2004.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0142890-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

도판트가 첨가된 아연산화물 박막이 증착된 기판을 열처리 반응기에 장입하여 가스 분위기에서 급속 열처리 함을 특징으로 하는 청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법

2 2

청구항 1에 있어서, 상기 기판은 실리콘이나 사파이어 단결정 중에서 어느 하나로 이루어 진 것을 특징으로 하는 청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법

3 3

청구항 1에 있어서, 상기 아연산화물 박막은 산화 알루미늄이 1-3% 무게비율만큼 첨가된 산화아연을 타겟으로 RF 마그네트론 스퍼터링 방법에 의해 제조됨을 특징으로 하는 청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법

4 4

청구항 1에 있어서, 상기 열처리 반응기 내의 온도를 초당 1~100℃로 상승시킴을 특징으로 하는 청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법

5 5

청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 열처리 반응기 내의 온도를 600~1000℃에서 3초~20분간 유지시킴을 특징으로 하는 청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법

6 6

청구항 1에 있어서, 상기 가스는 수소인 것을 특징으로 하는 청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법

7 7

청구항 1에 있어서, 상기 도판트는 알루미늄, 인듐, 갈륨 중에서 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 청색발광 ZnO 박막형광체의 제조방법

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