맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산업폐수중의 오염물질 제거를 위한 활성탄 표면개질 방법

  • 기술번호 : KST2015120839
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 범용 흡착제인 활성탄 표면을 수용액 중에서 환원처리함으로써 산업폐수에 함유된 난분해성 유기 오염물질의 흡착제거능력을 증진시킨 활성탄의 신규한 표면개질 방법에 관한 것이다. 본 발명의 활성탄 표면개질 방법에 따르면, 아황산 가스를 원료로 하여 전기분해에 의해 제조되는 디티오나이트(dithionite)를 직접 활성탄과 반응시켜 활성탄 표면중의 산화표면, 친수성 관능기 및 철분을 비롯한 친수성 불순물 등을 제거함으로써 친화력이 좋은 소수성 표면으로 전환시켜, 산업폐수중의 방향족 화합물을 비롯한 난분해성 오염물질의 흡착제거능력이 종래의 활성탄에 비해 크게 개선된 활성탄을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명은 활성탄의 표면개질에 저렴한 아황산 가스를 원료로 하여 전기분해에 의해 생산한 디티오나이트를 이용하기 때문에, 고가의 디티오나이트 약품을 사용하는 것에 비해 매우 경제적이다.전기분해, 아황산 가스, 흡착제거, 활성탄, 표면개질, 디티오나이트
Int. CL B01J 20/02 (2006.01) C01B 31/08 (2006.01)
CPC C01B 32/366(2013.01)
출원번호/일자 1020020019137 (2002.04.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0444358-0000 (2004.08.04)
공개번호/일자 10-2003-0080485 (2003.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20040816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.04.09)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이화영 대한민국 서울특별시노원구
2 김성규 대한민국 서울특별시동대문구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2002-0105103-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.09.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0057544-99
4 등록결정서
Decision to grant		 2004.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0299828-97
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

아황산 가스의 전기분해에 의해 생성된 디티오나이트 이온 (S2O42-)을 활성탄과 직접 반응시켜 활성탄을 환원처리하는 것을 포함하는 활성탄의 표면개질 방법

2 2

제1항에 있어서, 음극실, 양극실 및 이 음극실과 양극실 사이에 위치한 분리막으로 구성되고, 음극액으로서 아황산 가스를 용해시킨 황산수용액을, 양극액으로서 황산수용액을 사용하는 전해조의 음극실에 활성탄을 투입하고 교반하면서 전기분해를 실시함으로써 수행되는 활성탄의 표면개질 방법

3 3

제2항에 있어서, 전기분해에 사용되는 전해조의 양극판이 납 또는 흑연이고, 음극판이 스테인레스 강판 또는 흑연이고, 전류밀도가 10 내지 200 mA/㎠인 활성탄의 표면개질 방법

4 4

제2항에 있어서, 음극액으로서 아황산 가스를 포화시킨 0

5 5

제2항에 있어서, 음극액으로서 황산수용액만을 먼저 음극실에 투입한 후, 전기분해를 실시하는 도중에 아황산 가스를 외부에서 지속적으로 공급하는 활성탄의 표면개질 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.