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화학적 기계적 평탄화 공정의 실시간 전기화학적 분석 장치

  • 기술번호 : KST2015120840
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학적 기계적 평탄화 공정의 실시간 전기화학적 분석 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 분석장치는, 원형의 웨이퍼 척에 수용된 상태로 웨이퍼가 회전하고, 슬러리가 공급되는 상태에서 회전하는 원형의 연마용 패드의 외곽부가 상기 웨이퍼에 접촉됨으로써 상기 웨이퍼가 연마되는 CMP 공정에 대한 전기화학적 변화를 분석하는 장치로서, 상기 웨이퍼 척에 접촉되는 작동전극; 상기 연마용 패드의 중앙부로 공급되는 연마전 슬러리에 접촉되는 기준전극; 및 상기 연마용 패드의 외곽부에 잔존하는 연마후 슬러리에 접촉되는 반대전극으로 이루어지는 3단자 전극을 포함하여 구성된다. 이상과 같이 본 발명에 따른 3단자 전극을 포함하여 구성되는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석장치를 이용하면, CMP 공정을 실시간으로 관찰하여 슬러리의 성분을 결정하기 위한 평가에 활용할 수 있으며, 아울러 CMP 공정의 연마 변수들이 CMP 공정에 미치는 영향을 모니터링하여 최적의 CMP 공정조건을 알아낼 수 있다. 또한, 3단자 전극 각각에 대한 간명한 설계를 통해 종래 실험실 규모로 행해진 전기화학적 분석기술이 일반적인 CMP 장치에 용이하게 응용될 수 있다.기계 화학적 연마, CMP(chemical mechanical polishing), 실시간 측정, 전기화학
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC B24B 37/005(2013.01) B24B 37/005(2013.01) B24B 37/005(2013.01) B24B 37/005(2013.01)
출원번호/일자 1020020024523 (2002.05.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0456091-0000 (2004.10.28)
공개번호/일자 10-2003-0086143 (2003.11.07) 문서열기
공고번호/일자 (20041108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.05.03)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종호 대한민국 서울특별시광진구
2 김주선 대한민국 서울특별시노원구
3 이해원 대한민국 서울특별시동대문구
4 임건자 대한민국 서울특별시동대문구
5 김태은 대한민국 서울특별시강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-0136693-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0008672-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0110081-67
5 의견서
Written Opinion		 2004.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0191279-85
6 등록결정서
Decision to grant		 2004.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0437079-00
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

원형의 웨이퍼 척에 수용된 상태로 웨이퍼가 회전하고, 슬러리가 공급되는 상태에서 회전하는 원형의 연마용 패드의 외곽부가 상기 웨이퍼에 접촉됨으로써 상기 웨이퍼가 연마되는 CMP 공정에 대한 전기화학적 변화를 분석하는 장치로서,

상기 웨이퍼 척에 부착되어 작동전극;

상기 연마용 패드의 중앙부로 공급되는 연마전 슬러리에 접촉되는 기준전극; 및 상기 연마용 패드의 외곽부에 잔존하는 연마후 슬러리에 접촉되는 반대전극으로 이루어지는 3단자 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

2 2

제 1항에 있어서, 상기 작동전극은 집게 형태를 가지고 상기 웨이퍼 척 측면에 부착되는 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

3 3

제 2항에 있어서, 상기 작동전극은 상기 웨이퍼 척 측면의 접촉부위와 같은 곡률의 접촉부를 구비하는 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

4 4

제 2항에 있어서, 상기 작동전극은 스프링에 의하여 조여지는 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

5 5

제 1항에 있어서, 상기 기준전극은 상기 연마용 패드 중심에 형성된 홈에 위치하는 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

6 6

제 1항에 있어서, 상기 기준전극은 상기 연마용 패드의 중앙부에 형성된 원형의 홈에 위치하고, 상기 원형의 홈은 상기 연마용 패드와 동일한 중심을 가지고 상기 웨이퍼에 접촉되지 않는 한도에서 상기 웨이퍼에 최대한 근접하여 형성되는 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

7 7

제 1항에 있어서, 상기 기준전극은 백금전극인 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

8 8

제 1항에 있어서, 상기 기준전극은 Ag/AgCl 표준용액으로 채워진 유리 튜브 형태의 전극인 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

9 9

제 8항에 있어서, 상기 Ag/AgCl 표준용액으로 채워진 유리 튜브 형태의 기준전극은 상기 연마용 패드의 중앙부로 공급되는 연마전 슬러리와 접촉하는 부분에 염다리가 부착되는 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

10 10

제 1항에 있어서, 상기 반대전극은 상기 웨이퍼에 접촉되지 않는 한도에서 상기 웨이퍼에 최대한 근접하여 상기 연마용 패드의 외곽부에 잔존하는 연마후 슬러리에 접촉하는 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

11 11

제 1항에 있어서, 상기 반대전극은 상기 연마용 패드의 외곽부에 잔존하는 연마후 슬러리에 접촉하는 부분이 망구조인 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

12 12

제 1항에 있어서, 상기 반대전극은 백금전극인 것을 특징으로 하는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

13 13

제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 웨이퍼 척과 그 회전축 사이에 삽입되는 절연체를 더 포함하여 구성되는 CMP 공정에 대한 전기화학적 분석 장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.