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적외선 감지소자용 고특성 나노 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120848
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적외선 감지소자용 고특성 나노 박막의 제조방법에 관한 것이다. 특히, 샌드위치 구조의 나노 사이즈 박막의 두께 조절과 저온 열처리에 의한 산소 확산을 통하여 비냉각형 적외선 감지소자에서 적외선 감지층으로 사용되는 산화바나듐 박막의 특성인 TCR값과 저항값의 전기적 특성을 획기적으로 개선시킬 수 있는 새로운 나노 박막의 제조방법에 관한 것이다.산화바나듐 박막의 경우 제조 공정 상의 여러가지 변수로 인해 재현성 있는 박막의 증착이 어려우며, 또한 표면 미세가공기술을 이용한 비냉각형 적외선 감지소자 제작시 공정온도가 300℃ 이하로 제한되는 등 좋은 전기적 특성을 얻기에는 여러 공정상의 단점이 있다. 따라서, 지금까지 -1.5 ~ 2 %/℃ TCR값과 수십 ㏀ 이상의 저항값을 얻고 있으나, 적외선 감지소자의 감지도를 향상시키기 위해서는 -2 %/℃ 이상의 TCR값과 수십 ㏀ 이하의 저항값을 갖는 산화바나듐 박막의 제조가 요구된다.이에, 본 발명은 산화바나듐막을 각각 상,하부층으로 하고, 금속막을 삽입층으로 하는 샌드위치 형태의 나노 박막 구조를 형성한 후, 산소분위기에서 열처리 공정을 통하여 하부층의 산화바나듐막이 금속층으로 산소 확산에 의해 환원되어 혼합 상이 되며, 상기 금속막이 표면과 하부층으로부터 확산된 산소에 의해 혼합 상으로 산화되어 박막 전체적으로 높은 TCR값에 기여하는 VO2,V2O5 와 낮은 저항값에 기여하는 V2O3상의 혼합 상(phase)을 갖는 나노 박막의 제조방법을 제시한다.적외선 감지소자, 산화바나듐막, 나노 박막, 미세가공기술, 혼합 상, 샌드위치 구조
Int. CL G01J 1/02 (2011.01) H01L 31/09 (2011.01)
CPC H01L 31/101(2013.01) H01L 31/101(2013.01)
출원번호/일자 1020020013266 (2002.03.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0467480-0000 (2005.01.12)
공개번호/일자 10-2003-0073616 (2003.09.19) 문서열기
공고번호/일자 (20050124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.03.12)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문성욱 대한민국 경기도남양주시
2 한용희 대한민국 서울특별시동대문구
3 서상희 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2002-0071747-91
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2002.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-5064685-22
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items
2002.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-0072303-12
4 보정통지서
Request for Amendment
2002.03.20 발송취소 (Cancellation of dispatch) 1-5-2002-0019762-50
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.09.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0048466-14
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0151324-62
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0267255-05
9 의견서
Written Opinion
2004.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0267254-59
10 등록결정서
Decision to grant
2004.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0529329-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

나노 박막의 제조방법에 있어서,

제 1 및 제 2산화바나듐막(V2O5)을 각각 상,하부층으로 하고, 금속바나듐막(V)을 삽입층으로 하는 샌드위치 형태로 적층된 나노 박막 구조를 형성한 후,

산소분위기에서 열처리 공정을 진행하여 하부층의 제 2산화바나듐막(V2O5)이 금속바나듐막(V)으로 산소 확산에 의해 환원되어 혼합 상이 되며,

상기 금속바나듐막(V)이 표면과 하부층으로부터 확산된 산소에 의해 혼합 상으로 산화되어 박막 전체적으로 높은 TCR값에 기여하는 VO2,V2O5 와 낮은 저항값에 기여하는 V2O3상의 혼합 상(phase)을 갖는 것을 특징으로 하는 나노 박막의 제조방법

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삭제

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청구항 1에 있어서, 상기 샌드위치 구조의 나노 박막에서

상부층의 제 1산화바나듐막(V2O5) 두께는 열처리시 공급되는 산소의 금속바나듐막(V)으로 확산의 용이성을 위해 하부층의 두께 보다 얇게 형성하고,

하부층의 제 2산화바나듐막(V2O5) 두께는 금속바나듐막(V)의 산화를 일으키는 산소의 또 다른 소스로 이용하기 위해 상부층의 두께 보다 두껍게 형성하며,

삽입층의 금속바나듐막(V)은 특성 향상을 위해 나노 사이즈로 두께를 변화시켜 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노 박막의 제조방법

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청구항 3에 있어서, 상기 샌드위치 구조에서 상부층의 제 1산화바나듐막(V2O5) 두께는 10nm, 하부층의 제 2산화바나듐막(V2O5) 두께는 50nm, 삽입층 금속바나듐막(V)의 두께는 4 ~ 12nm로 하여 300 ℃의 산소분위기에서 30 ~ 60분간 열처리 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 나노 박막의 제조방법

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삭제

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