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N-히드록시페닐말레이미드 함유 내열성 고분자, 및 이를 포함하는 반사 방지막 조성물과 반사 방지막

  • 기술번호 : KST2015120866
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 제조에서 미세 패턴 가공 시 노광된 빛의 난반사 억제를 위하여 사용될 수 있으며, 193nm 파장의 원자외선 영역에서 높은 광흡수도를 갖는 N-하이드록시페닐말레이미드 반복 단위 함유 유기 고분자, 이를 포함하는 반사 방지막용 조성물 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기 고분자를 포함하는 바닥 반사 방지막은 기가 비트급 디램(Giga-bit DRAM)의 고집적 반도체 소자 제조에 사용되어 회로의 층간 난반사 및 정재파 현상을 대폭 억제할 수 있으므로, 70nm - 120nm 급의 초고해상도 미세회로를 안정적으로 형성하여 반도체 제품의 생산 수율을 증대시킬 수 있다. 반사 방지막(조성물), N-하이드록시페닐말레이미드 함유 고분자, 반도체 미세가공 공정, 아르곤 플루오라이드 193nm 노광공정, 광흡수 발색단 함유 유기 고분자 반사 방지막
Int. CL C08F 220/52 (2006.01)
CPC C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01) C08F 222/40(2013.01)
출원번호/일자 1020020009950 (2002.02.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0479686-0000 (2005.03.21)
공개번호/일자 10-2003-0070417 (2003.08.30) 문서열기
공고번호/일자 (20050330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.02.25)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안광덕 대한민국 서울특별시서초구
2 강종희 대한민국 서울특별시노원구
3 김준우 대한민국 서울특별시은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0055704-63
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2002.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-5055405-55
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2002.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-5055406-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0057048-54
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0329185-86
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2004-0458297-36
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0523898-70
10 의견서
Written Opinion
2004.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2004-0523895-33
11 등록결정서
Decision to grant
2005.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0114133-71
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음의 일반식 (I)로 표시되는, 보호된 N-히드록시페닐말레이미드의 중합체: (I) 식 중, R은 H, 테트라하이드로피라닐, -COOR3, (SiR4)3 또는 t-부틸기를 나타내고, R3와 R4는 각각 메틸, t-부틸 또는 C2-C3 알킬을 나타내며, R1과 R2는 각각 독립적으로 수소, C1-C6 알킬, C1-C6 알콕시 알킬, C1-C6 히드록시 알킬 또는 C1-C6 할로겐화 알킬을 나타내며, 각 단량체의 비율은 단량체의 총 몰분율 x+y+z+p를 기준으로 하여 x의 몰분율이 0
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 R이 테트라하이드로피라닐, -COOR3, (SiR4)3 또는 t-부틸기를 나타내고, R3와 R4는 각각 메틸, t-부틸 또는 C2-C3 알킬이고, 평균 분자량이 5,000 - 100,000인 중합체
3 3
프로필렌 글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA), 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 에틸 락테이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트 및 시클로헥산온으로 구성된 군에서 선택되는 유기 용매, 상기 유기 용매에 대하여 0
4 4
제 1 항에 따른 N-히드록시페닐말레이미드 공중합체를 포함하는, 193nm 및 157nm 파장의 엑시머 레이저를 사용하는 반도체 초미세회로 제작을 위한 노광공정에 사용되는 유기 반사 방지막
5 5
삭제
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.