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캔틸레버 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015120874
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 캔틸레버 센서에 관한 것으로서, 압전막들을 동일면에 형성하여 전기적 측정 방법을 통하여 여러 정보를 감지하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명인 캔틸레버 센서는 그 일부는 일면의 실리콘 기판 위에 형성되고, 나머지 일부는 실리콘 웨이퍼의 뒷면을 식각하여 멤브레인으로서 제작된 제 1 실리콘 질화막 또는 실리콘/실리콘산화막(2중막)과; 상기 실리콘 질화막 위에 형성된 실리콘 산화막과; 상기 실리콘 산화막 상에 소정의 크기로 형성된 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성된 제 1 압전막과, 상기 제 1 압전막과 접촉하지 않도록 형성된 제 2 압전막과; 상기 제 1 및 제 2 압전막 위에 소정의 크기로 형성된 상부 전극과; 상기 하부 실리콘 산화막과, 하부 전극과, 제 1 및 제 2 압전막과, 상부 전극들에 형성된 보호막과; 각각의 상부 전극 상의 보호막과, 상기 하부 전극 상의 보호막에 형성된 제 1 개구들와 제 2 개구들과; 상기 제 1 및 제 2 개구들에 각각 형성된 제 1 및 제 2 콘택 패드 및; 상기 기판의 타면에 형성된 제 2 실리콘 질화막으로 이루어진다.
Int. CL G01N 27/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020030340 (2002.05.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0479687-0000 (2005.03.21)
공개번호/일자 10-2003-0092618 (2003.12.06) 문서열기
공고번호/일자 (20050330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.05.30)
심사청구항수 27

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태송 대한민국 서울특별시마포구
2 김형준 대한민국 서울특별시성북구
3 이정훈 대한민국 서울특별시노원구
4 강지윤 대한민국 서울특별시송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0170706-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2004-0004253-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0309784-56
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2004-0441333-06
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.10.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0484200-84
7 의견서
Written Opinion
2004.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-0484197-23
8 등록결정서
Decision to grant
2005.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0114281-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
일부는 일면의 실리콘 기판 상에 형성되고, 나머지 일부는 멤브레인 상에 형성된 제 1 실리콘 질화막과; 상기 실리콘 질화막 위에 형성된 실리콘 산화막과; 상기 실리콘 산화막 상에 소정의 크기로 형성된 하부 전극과; 상기 하부 전극 상에 형성된 제 1 압전막과, 상기 제 1 압전막과 접촉하지 않도록 형성된 제 2 압전막과; 상기 제 1 및 제 2 압전막 위에 소정의 크기로 형성된 상부 전극과; 상기 하부 실리콘 산화막과, 하부 전극과, 제 1 및 제 2 압전막과, 상부 전극들에 형성된 보호막과; 각각의 상부 전극 상의 보호막과, 상기 하부 전극 상의 보호막에 형성된 제 1 개구들와 제 2 개구들과; 상기 제 1 및 제 2 개구들에 각각 형성된 제 1 및 제 2 콘택 패드 및; 상기 기판의 타면에 형성된 제 2 실리콘 질화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 멤브레인은 실리콘 질화막/실리콘 또는 실리콘 산화막/실리콘의 이중층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 압전막들의 두께는 0
4 4
일부는 일면의 실리콘 기판 상에 형성되고, 나머지 일부는 멤브레인 상에 형성된 제 1 실리콘 질화막과; 상기 제 1 실리콘 질화막 상에 형성된 YSZ층과; 상기 YSZ층 상에 형성된 소정의 크기로 형성된 하부 전극과; 상기 하부 전극 위에 형성된 제 1 압전막과, 상기 제 1 압전막과 접촉하지 않도록 형성된 제 2 압전막과; 상기 제 1 및 제 2 압전막 위에 소정의 크기로 형성된 상부 전극과; 상기 YSZ층과, 하부 전극과, 제 1 및 제 2 압전막과, 상부 전극들에 형성된 보호막과; 각각의 상부 전극 상의 보호막과, 상기 하부 전극 상의 보호막에 형성된 제 1 개구와, 제 2 개구 및; 상기 제 1 및 제 2 개구에 각각 형성된 제 1 및 제 2 콘택 패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 하부 전극은 Pt로 이루어지고, 상기 하부 전극을 증착하는 단계 이전에, 상기 하부 실리콘 산화막에 접착층을 구비하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 압전막들의 두께는 2 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 YSZ층의 두께는 500 내지 1000Å인 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
8 8
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 캔틸레버 센서는 각각의 상부 전극 위의 상기 보호막과, 상기 제 1 콘택 패드 위에 형성된 Au층과; 상기 멤브레인 내에서 상기 제 1 압전막과 제 2 압전막에 대응하는 각각의 부분들에 형성된 Au층을 추가적으로 구비하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 캔틸레버 센서는 상기 Au층들 상에 형성된 생체물질 프루브를 추가적으로 구비하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
10 10
제 2 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 접착층은 Ta를 함유하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
11 11
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 캔틸레버 센서는 상기 캔틸레버의 단부에 감지 물질을 올려놓기 위한 물질 부착부분을 추가적으로 구비하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
12 12
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 보호막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 탄화막 중의 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
13 13
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 상부 전극과 하부 전극은 백금, 전도성 산화물 중의 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
14 14
제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 압전막들 중의 하나는 감지막이고, 다른 하나는 구동막인 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서
15 15
실리콘 기판의 상부와 하부에 각각 실리콘 질화막을 증착시키는 단계와; 상기 상부에 형성된 실리콘 질화막 위에 실리콘 산화막을 증착시키는 단계와; 상기 실리콘 산화막에 소정의 크기의 하부 전극을 증착시키는 단계와; 상기 하부 전극 위에 제 1 압전막과, 상기 제 1 압전막과 접촉하지 않도록 제 2 압전막을 증착시키는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 압전막 위에 소정의 크기의 상부 전극을 각각 증착시키는 단계와; 상기 하부 실리콘 산화막과, 하부 전극과, 제 1 및 제 2 압전막과, 상부 전극들에 보호막을 증착시키는 단계와; 각각의 상부 전극 상의 보호막에 제 1 개구를 형성하고, 상기 하부 전극 상의 보호막에 제 2 개구를 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 개구에 각각 제 1 및 제 2 콘택 패드를 형성하는 단계와; 상기 기판의 하부 상의 실리콘 질화막의 일부를 제거하는 단계와; 상기 실리콘 질화막이 제거된 실리콘 기판을 식각하여 일정한 두께를 갖는 멤브레인을 형성하는 단계 및; 상기 기판의 상부를 식각함으로써 상기 멤브레인의 일부분을 절단하여 캔틸레버를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 하부 전극은 Pt로 이루어지고, 상기 하부 전극을 증착하는 단계 이전에, 상기 실리콘 산화막에 접착층을 증착하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 압전막들의 두께는 0
18 18
실리콘 기판의 상부와 하부에 각각 실리콘 질화막을 증착시키는 단계와; 상기 기판의 하부 상의 실리콘 질화막의 일부를 제거하는 단계와; 상기 실리콘 질화막이 제거된 실리콘 기판을 식각하여 일정한 두께를 갖는 멤브레인을 형성하는 단계와; 상기 상부에 형성된 실리콘 질화막 위에 YSZ층을 증착시키는 단계와; 상기 YSZ층 상에 소정의 크기의 하부 전극을 증착시키는 단계와; 상기 하부 전극 위에 제 1 압전막과, 상기 제 1 압전막과 접촉하지 않도록 제 2 압전막을 증착시키는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 압전막 위에 소정의 크기의 상부 전극을 각각 증착시키는 단계와; 상기 YSZ층과, 하부 전극과, 제 1 및 제 2 압전막과, 상부 전극들에 보호막을 증착시키는 단계와; 각각의 상부 전극 상의 보호막에 제 1 개구를 형성하고, 상기 하부 전극 상의 보호막에 제 2 개구를 형성하는 단계 및; 상기 제 1 및 제 2 개구에 각각 제 1 및 제 2 콘택 패드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 하부 전극은 Pt로 이루어지고, 상기 하부 전극을 증착하는 단계 이전에, 상기 하부 실리콘 산화막에 접착층을 증착하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
20 20
제 18 항에 있어서, 상기 YSZ층의 두께는 500 내지 1000Å인 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
21 21
제 18 항에 있어서, 상기 압전막들의 두께는 2 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
22 22
제 15 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 제조 방법은 각각의 상부 전극 위의 상기 보호막과, 상기 제 1 콘택 패드 위에 Au층을 증착시키는 단계와; 상기 멤브레인 내에서 상기 제 1 압전막과 제 2 압전막에 대응하는 각각의 부분들에 Au층을 증착시키는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
23 23
제 22 항에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 Au층들 상에 생체물질 프루브를 붙이는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
24 24
제 16 항 또는 제 19 항에 있어서, 상기 접착층은 Ta를 함유하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
25 25
제 15 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 캔틸레버를 형성하는 단계에서 상기 식각을 상기 제 2 압전막과 거리를 두어 수행하여 상기 캔틸레버의 단부에 감지 물질을 올려놓기 위한 물질 부착부분이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
26 26
제 15 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 보호막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 탄화막 중의 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
27 27
제 15 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 상부 전극과 하부 전극은 백금, 전도성 산화물 중의 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
28 27
제 15 항 또는 제 18 항에 있어서, 상기 상부 전극과 하부 전극은 백금, 전도성 산화물 중의 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캔틸레버 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07022540 US 미국 FAMILY
2 US20030224551 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003224551 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7022540 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.