| 요약 |
본 발명은 파장가변 전광 NOR 논리소자의 구현방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 EMILD 소자의 구조중 EAM 영역에 순바이어스를 인가하여 SOA의 특성인 이득포화를 유도함으로써 전광 NOR 논리소자를 구현하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 논리소자 구현방법은, EAM 영역의 전면에 AR 코팅을 하는 제1단계; DFB-LD 영역의 후면에 HR 코팅을 하는 제2단계; 상기 EAM 영역과 DFB-LD 영역이 서로 연결된 EMILD 소자의 EAM 영역에 두 입력신호 A와 B를 합쳐서 주입하여 이득포화를 일으키는 제3단계; 및 상기 DFB-LD 영역에서 나오는 CW 신호가 EAM 영역에 주입되어 EAM 영역에서 이득포화에 의해 변조되는 제4단계;를 포함하여 NOR의 논리를 가지고 출력되는 것을 특징으로 한다. 본원발명에 의하면, 파장가변 전광 NOR 논리소자를 구현하면서도 집적소자를 이용하였으므로, 종래의 구성보다 간단하여 시스템의 구성이 용이하고, 결합손실을 줄일 수 있어 증폭기와 같은 시스템 구성요소가 필요없다. EMILD구조, 전광 NOR, EAM, DFB-LD, 이득포화, 순바이어스 전류
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