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ＨｇＣｄＴｅ 광다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120979
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HgCdTe 반도체를 사용한 광전압형 다이오드에 관한 것으로, 기판 위에 p형 HgCdTe 박막을 성장시킨 후, 대기중에 노출없이 연속적으로 상기 HgCdTe 박막 위에 CdTe 또는 Cd1-ZZnZTe (0<z<1) 에피텍시얼 층을 성장시키고, 상기 에피텍시얼 층을 국부적으로 식각하여 상기 HgCdTe 박막의 일부분에 오픈시키고, 상기 오픈된 부분을 ECR 플라즈마에 노출시켜 n형으로 변환시키고, 상기 p형 영역 및 n형 영역에 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 HgCdTe 광다이오드 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, HgCdTe 성장 후 대기에의 노출이 없이 바로 CdTe를 형성할 뿐아니라 단결정의 CdTe가 형성됨으로 표면에서의 재결합 등에 의해 전기가 새어나가는 현상을 억제할 수 있다. 따라서 이러한 방법으로 만들어진 CdTe 보호막을 사용함으로 해서 적외선 광 다이오드의 성능을 크게 향상시킬 수 있다. 보호막, 광 다이오드, HgCdTe, CdZnTe, CdTe, ECR
Int. CL H01L 31/0296 (2006.01)
CPC H01L 31/02966(2013.01) H01L 31/02966(2013.01) H01L 31/02966(2013.01)
출원번호/일자 1020030023403 (2003.04.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0525169-0000 (2005.10.24)
공개번호/일자 10-2004-0088954 (2004.10.20) 문서열기
공고번호/일자 (20051102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.04.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진상 대한민국 서울특별시동작구
2 서상희 대한민국 서울특별시마포구
3 김영환 대한민국 서울특별시노원구
4 안세영 대한민국 서울특별시성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2003-0131032-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2004-0076191-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0242042-38
5 의견서
Written Opinion		 2005.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0347487-79
6 등록결정서
Decision to grant		 2005.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0508004-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 p형 HgCdTe 박막을 성장시킨 후, 대기중에 노출없이 연속적으로 상기 HgCdTe 박막 위에 CdTe 또는 Cd1-ZZnZTe (0<z<1) 에피텍시얼 층을 성장시키고, 상기 에피텍시얼 층을 국부적으로 식각하여 상기 HgCdTe 박막의 일부분에 오픈시키고, 상기 오픈된 부분을 ECR 플라즈마에 노출시켜 n형으로 변환시키고, 상기 p형 영역 및 n형 영역에 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 HgCdTe 광다이오드 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 CdTe 또는 Cd1-ZZnZTe 에피텍시얼 층은 광다이오드의 보호막인 것을 특징으로 하는 HgCdTe 광다이오드 제조방법
3 3
제1항에 있어서, n형 영역을 형성한 후, 절연층을 형성하는 단계를 추가적으로 포함하는 HgCdTe 광다이오드 제조방법
4 4
제1항에 있어서, HgCdTe 박막 및 에피텍시얼 층은 분자선 박막결정 증착법 (MBE), 금속유기 화합물 기상 증착법 (MOVPE), 또는 액상 결정 성장법(LPE) 법으로 성장시키는 HgCdTe 광다이오드 제조방법
5 5
제1항에 있어서, HgCdTe 박막의 두께는 10 ~ 20㎛ 범위이며, 에피텍시얼 층의 두께는 0
6 6
제1항에 있어서, 상기 기판은 CdZnTe, GaAs 또는 Si 인 HgCdTe 광다이오드 제조방법
7 6
제1항에 있어서, 상기 기판은 CdZnTe, GaAs 또는 Si 인 HgCdTe 광다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.