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HgCdTe 반도체 표면을 습식 식각하여 반도체 표면 상의 자연 산화막을 제거하는 단계, 습식 식각 처리된 HgCdTe 반도체 표면을 황 함유 용액으로 표면 처리하여 표면에 황화물질층을 형성하는 단계 및 상기 황화물질층이 형성된 표면 상에 ZnS 또는 CdS를 증착시켜 표면 보호막을 형성시키는 단계 를 포함하는, HgCdTe 반도체의 표면 보호막을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 황 함유 표면 처리 용액이 (HN4)2Sx, (HN4)2Sx-CH3OH 또는 (HN4)2Sx-H2O인 방법
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제1항에 있어서, 상기 증착이 열증착 반응기, 전자선 증착반응기, 라디오 주파수의 스퍼터링 증착반응기 또는 양극 황화법에 의해 수행되는 것인 방법
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제1항에 있어서, 상기 황화물질층이 HgCdTe 표면 상의 Hg-S 또는 Cd-S의 결합에 의해 형성되는 것인 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 따라 HgCdTe 반도체 표면에 표면 보호막을 형성하는 단계를 포함하는, HgCdTe 반도체 다이오드 소자의 제조 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 따라 HgCdTe 반도체 표면에 표면 보호막을 형성하는 단계를 포함하는, HgCdTe 반도체 다이오드 소자의 제조 방법
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