| 1 |
1
기판과,상기 기판 상의 하부 전극 박막,상기 하부 전극 상의 전해질 박막,상기 전해질 박막 상의 상부 전극 박막을 포함하여 구성되며, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 RuO2, IrO2, NiO/Ni 복합체, TiO2, SnO2, ZnO2와 V2O5의 복합체, RuO2와 V2O5의 복합체, WO3, Co3O4 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되고, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막에 H2가 도핑된 것을 특징으로 하는박막형 슈퍼 캐패시터
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 기판은 금속, 세라믹 또는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 결정질인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 비정질인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 전해질 박막은 고체인 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 따른 박막형 슈퍼 캐패시터를 둘 이상 직렬 또는 병렬로 연결한 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 직렬 연결의 경우, 둘 이상의 박막형 슈퍼 캐패시터가 다층으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막형 슈퍼 캐패시터
|
| 10 |
10
기판을 준비하고,상기 기판 상에 집전체 박막을 형성하고,상기 집전체 박막 상에 H2가 도핑된 하부 전극 박막을 형성하고,상기 하부 전극 상에 전해질 박막을 형성하고,상기 전해질 박막 상에 H2가 도핑된 상부 전극 박막을 형성하는 것을 포함하여 구성되며, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 RuO2, IrO2, NiO/Ni 복합체, TiO2, SnO2, ZnO2와 V2O5의 복합체, RuO2와 V2O5의 복합체, WO3, Co3O4 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되는박막형 슈퍼 캐패시터 제조방법
|
| 11 |
10
기판을 준비하고,상기 기판 상에 집전체 박막을 형성하고,상기 집전체 박막 상에 H2가 도핑된 하부 전극 박막을 형성하고,상기 하부 전극 상에 전해질 박막을 형성하고,상기 전해질 박막 상에 H2가 도핑된 상부 전극 박막을 형성하는 것을 포함하여 구성되며, 상기 하부 전극 박막 및 상부 전극 박막은 RuO2, IrO2, NiO/Ni 복합체, TiO2, SnO2, ZnO2와 V2O5의 복합체, RuO2와 V2O5의 복합체, WO3, Co3O4 중에서 선택되는 어느 하나의 물질로 구성되는박막형 슈퍼 캐패시터 제조방법
|
