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전류 인가 자기 저항 소자

  • 기술번호 : KST2015121075
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1강자성층과 비자성층 및 제2강자성층으로 구성되는 다중 적층부와, 상기 제1강자성층 상부의 상부 전극과, 상기 제2강자성층 하부의 반강자성층, 및 상기 반강자성층 하부의 하부 전극을 포함하며, 상기 제2강자성층 내부에는 나노 산화물층이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 전류 인가 자기 저항 소자를 제공한다. 상기 하부 전극은 제2강자성층 적어도 일부와 접촉하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 자기 저항 소자는 자화 반전을 위한 임계 전류값이 낮고 자기 저항 특성이 향상된다. 전류 인가(current induced), 자기 저항, 교환 바이어스, 나노 산화물층
Int. CL H01L 43/08 (2011.01) B82Y 25/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020040088959 (2004.11.03)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0648143-0000 (2006.11.14)
공개번호/일자 10-2006-0039748 (2006.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20061124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신경호 대한민국 서울특별시 노원구
2 호앙 뉴엔 티 베트남 서울 성북구
3 이현정 대한민국 서울 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0509288-11
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0597476-84
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0238386-13
4 의견서
Written Opinion		 2006.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0454718-43
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0454719-99
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0621972-43
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1강자성층과 비자성층 및 제2강자성층으로 구성되는 다중 접합부와, 상기 제1강자성층 상부의 상부 전극과, 상기 제2강자성층 하부의 반강자성층, 및 상기 반강자성층 하부의 하부 전극을 포함하며, 상기 제2강자성층 내부에는 나노 산화물층이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 전류 인가 자기 저항 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 제2강자성층의 적어도 일부분과 접촉하는 것을 특징으로 하는 전류 인가 자기 저항 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2강자성층은 제1강자성층 보다 두껍게 형성된 것을 것을 특징으로 하는 전류 인가 자기 저항 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노 산화물층의 두께는 1 ~ 5 Å 인 것을 특징으로 하는 전류 인가 자기 저항 소자
5 5
제1항에 있어서, 전류는 상기 접합부에 수직 방향으로 인가되는 것을 특징으로 하는 전류 인가 자기 저항 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1강자성층의 자화 방향은 전류 인가에 따라 변화 가능하며, 상기 제2강자성층의 자화 방향은 상기 반강자성층에 의하여 고정되는 것을 특징으로 하는 전류 인가 자기 저항 소자
7 7
삭제
8 8
제1항에 따른 소자를 이용한 자기 메모리 장치
9 8
제1항에 따른 소자를 이용한 자기 메모리 장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01810354 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP01810354 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP20519460 JP 일본 FAMILY
4 US07626857 US 미국 FAMILY
5 US20070296406 US 미국 FAMILY
6 WO2006049407 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP1810354 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP1810354 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP1810354 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2008519460 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2008519460 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2008519460 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2007296406 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US7626857 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2006049407 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.